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阻变随机存取存储器(RRAM)是一种新型非易失性存储器件,比主流的闪存(Flash)器件具有更快的读/写速度、更低的编程电压和功耗。然而由于工艺不成熟等因素,RRAM准确的器件模型需要在已有的斯坦福物理模型基础上,对多达6个曲线拟合参数反复进行调整,具有一定的建模难度。提出了一种简并参数的建模方法,通过器件实测数据计算出其中4个曲线拟合参数I0、g0、γ0、β。该方法大大降低了将物理模型适配为实际模型的建模难度,且由于基于实测数据,该建模方法理论上对不同工艺具有适配性。最后在不同工艺条件下制作了基于HfOx材料的RRAM器件,并验证了该方法的有效性、先进性和准确性。 相似文献
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本文设计了一款小面积低功耗实时时钟RTC。通过使用Link-joint异步自时钟电路结构和设计方法,有效降低了实时时钟RTC的电路面积和计时过程中的动态功耗。在异步设计平台和同步设计平台相结合的设计流程中,采用SMIC55nm工艺库,在32.768kHz频率的时钟输入下,优化后的实时时钟RTC的面积比同步实时时钟RTC降低了43.5%,计时过程的总功耗降低了85.08%。 相似文献
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基于中芯国际SMIC0.18μm标准CMOS 1P6M工艺,在Cadence EDA平台下设计完成了一款12位、采样率500 MHz的电流舵DAC。电路主体结构采用5+3+4的分段方式,其中模拟部分采用3.3 V电源供电,数字部分采用1.8 V供电,满量程电流20 mA,单端负载为25Ω,在时钟信号500 MHz、输入信号1.586 914 MHz的条件下,测得SFDR为91 dB,电路的INL为±0.25 LSB、DNL为±0.15 LSB,整体功耗为75.6 mW。 相似文献
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基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种10位自补偿逐次逼近(SAR)A/D转换器芯片。采用5+5分段式结构,将电容阵列分成高5位和低5位;采用额外添加补偿电容的方法,对电容阵列进行补偿,以提高电容之间的匹配。采用线性开关,以提高采样速率,降低功耗。版图布局中,使用了一种匹配性能较好的电容阵列,以提高整体芯片的对称性,降低寄生参数的影响。在输入信号频率为0.956 2 MHz,时钟频率为125 MHz的条件下进行后仿真,该A/D转换器的信号噪声失真比(SNDR)为61.230 8 dB,无杂散动态范围(SFDR)达到75.220 4 dB,有效位数(ENOB)达到9.87位。 相似文献