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1.
硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性
张仿清
谢二庆
杨斌
才永明
陈光华
《半导体学报》
1995,16(6):468-472
用热丝协助化学气相沉积法,用B2O3作掺杂剂,用丙酮作碳源,成功地合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜.本文报道了未掺杂和硼掺杂金刚石膜红外光谱的研究结果.实验结果表明:在0.308eV和0.341eV处产生的吸收是由于金刚石膜中硼原子的基态到第一、第二激发态的跃迁引起的.这个结果证实了硼原子在金刚石膜中以替位方式存在.
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