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对InAs沟道InAlAs-InAs高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究,器件样品性能良好,1μm栅长InAlAs-InAs HEMT器件的最大跨导300K时达到250mS/mm。这是国内首次研制成功的InAs沟道HEMT器件。 相似文献
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超低功耗GaAs PHEMT跨阻前置放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报导了光纤通信接收机中GaAs PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果。此前置放大器采用单电源供电,由1级放大、2级源级跟随器和1个反馈电阻组成。当前置放大器工作在2.5Gbit/s时,跨阻可达60dB Ω。采用 5V电源供电,功耗为110mW。 相似文献
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报道了用 MBE技术生长的 Ga As基 In Al As/In Ga As改变结构高电子迁移率晶体管 (MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为 0 .8μm的器件 ,最大非本征跨导和饱和电流密度分别为 3 5 0 m S/mm和1 90 m A/mm。源漏击穿电压和栅反向击穿电压分别为 4V和 7.5 V。这些直流特性超过了相同的材料和工艺条件下 Ga As基 PHEMT的水平 ,与 In P基 In Al As/In Ga As HEMT的性能相当 相似文献
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氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有工作频率高、导通损耗低等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中。为了充分发挥GaN功率器件的潜能,需要将功率开关器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成以减少寄生参数。互补型逻辑电路是实现集成的关键元电路之一,但其研究起步较晚。介绍了n沟道和p沟道GaN增强型器件的制备方案及互补逻辑电路的研究进展。从电学性能匹配性及稳定性出发探讨了现有互补型逻辑电路面临的关键科学问题,可以为GaN基互补型逻辑电路的研究提供参考。 相似文献
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发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850oC下退火,保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中,实现了最大跨导约为56mS/mm,阈值电压为3.5V。与p型HFET的-3V的阈值基本对称。反向击穿电压为4~5V。 相似文献