二氧化硅干法蚀刻参数的优化研究

阐述了二氧化硅干法蚀刻的原理和主要的蚀刻参数.应用正交实验,进行了蚀刻速率、均匀性、选择比等主要蚀刻参数的优化,得出主要工艺参数的设置方法和理想条件漂移时的调整方法以及优化选择比的蚀刻方案.     

磁约束反应离子蚀刻装置的磁场优化

应用有限元分析方法建立了多磁极约束磁增强型反应离子蚀刻装置内部的磁场分布模型. 通过研究磁极的配置及磁化方向的调整，对蚀刻装置内部磁场的强度及其分布的均匀性进行了优化研究，获得了在兼顾蚀刻速率和蚀刻均匀性的最优工艺要求.     

携带气体对二氧化硅干法刻蚀的影响

文章研究了采用氩气和氦气作携带气体时气体流量对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。实验结果表明，当采用氩气作携带气体时，其流量选择在氩气：刻蚀气体≈1：1时，刻蚀结果优化；当选择氦气作携带气体时，其流量选择在氦气：刻蚀气体≈2：1时，刻蚀结果优化。氩气和氦气相比，氩气更具优越性。     

小像素CCD的关键技术进展

随着CCD像素的不断增加,像素的尺寸不断减小,使用新的方法来提高每个像素的电荷处理能力,进一步减小各种噪声是小像素CCD的主要技术方向.     

磁约束反应离子蚀刻装置的磁场优化

应用有限元分析方法建立了多磁极约束磁增强型反应离子蚀刻装置内部的磁场分布模型.通过研究磁极的配置及磁化方向的调整,对蚀刻装置内部磁场的强度及其分布的均匀性进行了优化研究,获得了在兼顾蚀刻速率和蚀刻均匀性的最优工艺要求.     

磁约束反应离子蚀刻装置的磁场优化

应用有限元分析方法建立了多磁极约束磁增强型反应离子蚀刻装置内部的磁场分布模型.通过研究磁极的配置及磁化方向的调整,对蚀刻装置内部磁场的强度及其分布的均匀性进行了优化研究,获得了在兼顾蚀刻速率和蚀刻均匀性的最优工艺要求.     

用于微处理器时钟同步PLL的VCO设计

研究了一种用于微处理器时钟同步PLL的高带宽低噪声的压控振荡器(VCO),该VCO采用了交叉耦合的电流饥饿型环形振荡器,通过改善其控制电压变换电路,大大拓宽了压控增益的线性范围,消除了振荡器对控制电压的影响,降低了输出时钟的相位噪声.基于CSMC 3.3 V 0.35 μm CMOS工艺的仿真结果表明,取延迟单元沟道长度为1 μm、中心频率为365 MHz时,压控增益为300 MHz/V,其线性区覆盖范围是30～700 MHz,在偏离中心频率600 kHz处的相位噪声为-95 dB/Hz,低频1/f噪声在-20 dB/Hz以下.该VCO可以通过适当减小延迟单元沟道长度来拓宽压控增益线性范围.