首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4篇
  免费   0篇
机械仪表   1篇
建筑科学   1篇
无线电   1篇
一般工业技术   1篇
  2024年   1篇
  2023年   2篇
  2014年   1篇
排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 93 毫秒
1
1.
利用直径37 mm口径分离式霍普金森压杆(Split Hopkinson pressure bar,SHPB)对硬质聚氨酯泡沫塑料(Rigid polyurethane foam,RPUF)开展了应变率范围为1000~2300s-1的动态压缩试验,试验结果表明RPUF材料具有明显的应变率效应。将RPUF材料视为不含应变率效应的理想弹塑性模型,并利用有限元软件ABAQUS开展RPUF材料SHPB试验的数值模拟,仿真结果表明RPUF材料的动态屈服强度随着应变率的增加而明显增大,横向惯性效应对试验结果的影响不可忽略。接着开展了RPUF材料的三轴围压(1 MPa、2 MPa、5 MPa和10 MPa)试验,试验结果表明,RPUF材料的屈服强度和静水压呈线性关系,因此研究RPUF材料应变率效应时需要考虑材料本身静水压效应对其的影响。为了获取RPUF材料的实际应变率效应,基于SHPB和三轴围压的试验数据提出一种含静水压效应和应变率效应的本构模型,并将其应用于RPUF材料的SHPB数值模拟中,该方法虽然消除了材料静水压效应对试验结果的影响,但仿真结果仍比试验值偏大,这是因为横向惯性效应对试验的影响并...  相似文献   
2.
当用户移动时,信号的传输距离随之变化。基于此,利用毫米波通信对传输距离的敏感性提出了距离自适应调制策略。当用户接收误码率(Bit Error Rate, BER)超过门限时,用户通过反馈信道请求基站调整信号调制阶数和发送功率来保证BER在门限以下。基站根据用户反馈的BER门限、传输距离以及天线增益等确定调制阶数,通过最大化频谱效率(Spectrum Efficiency, SE)得到最优发送功率。通过仿真得出,当传输距离小于300 m时,采用256阶数的正交幅度调制(256-order Quadrature Amplitude Modulation, 256QAM);距离在300~500 m时,采用64QAM调制;距离在500~800 m时,采用16QAM调制;距离大于800 m时,采用4QAM调制。比较已有的毫米波广义空间调制(Generalized Space Modulation-QAM,GSM-QAM)、脉冲位置调制(Pulse Position Modulation, PPM)和固定QAM调制策略,所提出的改进的自适应调制策略在保证BER的前提下,数据率最高。  相似文献   
3.
为了探究不同尺寸结构与气泡的相互作用机理,开展了2.5 g TNT在边长为20 cm、40 cm和70 cm固支方板底部15 cm处起爆的水下爆炸实验,通过观察实验高速录像以及传感器测得的压力数据结果得到:板的尺寸过小时,气泡在膨胀过程中会与空气接触,使得气泡脉动过程终止。为进一步探究爆炸气泡与目标尺寸的匹配关系,采用Abaqus软件中的CEL算法,固支方板以拉格朗日网格建立,其余部分以欧拉网格建立,对近场水下爆炸气泡的动力学行为以及压力数据进行数值模拟,通过将仿真结果与实验拍摄到的气泡现象与测得的压力时程曲线做对比验证了仿真方法的可行性。以爆炸深度除以最大气泡半径为比深度,以板的边长除以最大气泡半径为边长,接着开展了板边长为0.455到3.182倍最大理论气泡半径、爆距为0.455到1.136倍最大理论气泡半径的系列仿真。仿真结果表明:随着板尺寸的减小,气泡越容易提前溃散;以无量纲板尺寸和无量纲爆深为变量给出能否形成一个完成气泡脉动的分界函数;爆距与板尺寸距离分界线越近,气泡脉动结束时间越早。  相似文献   
4.
徽州文化作为中国三大文化地域之一,与敦煌学、藏学齐名,其内涵之丰富,发展程度之成熟,使其成为一个独立而完善的体系,在国内外都具有极大的影响。其中,新安理学、新安画派、徽派建筑作为徽州文化重要代表,一直备受研究者的关注[1]。徽州建筑的形成受到了徽州独特的历史地理环境和人文观念的影响,风格独特,结构严谨,细节精湛,成为我国建筑史上的一块瑰宝。牌坊、祠堂、民居一直被并称为“徽州三绝”,是徽州文化的物质载体。因为徽州多山地,川谷崎岖、峰峦掩映,中原移民到此处,往往聚族而居。宗族以血缘关系为纽带,成为徽州地区独特的社会结构形态,而祠堂则是维系和强化这种宗族社会的重要工具[2]。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号