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刘乐  王凤娟  文炳成  余宁梅  杨媛 《电子器件》2023,46(6):1469-1473
针对三维集成中的TSV垂直开关,提出了其阈值电压和漏极电流的解析模型。采用基于有限元法(FEM)的Sentaurus软件进行解析模型验证。分析了三维集成TSV垂直开关的优点以及不同尺寸的TSV高度、半径及氧化层厚度对TSV垂直开关的阈值电压及漏极电流的影响。结果表明:TSV高度对阈值电压无影响,漏极电流增大;TSV的直径的增大会导致阈值电压减小,漏极电流增大;TSV氧化层厚度的增大会导致阈值电压增大,漏极电流减小。并且有限元法仿真与解析模型计算的误差均小于10%,验证了该模型的准确性,为TSV垂直开关的应用提供了重要的理论依据。  相似文献   
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