LED金线键合工艺的质量控制

文章介绍LED引线键合的工艺技术参数翻要求和相关产品质量管控规范,讨论了劈刀、金线等工具和原材辩对键合质量的影响。     

LED芯片脏污与几种芯片工艺现象的辩识

文章介绍了几种常见的LED芯片表面脏污类别以及预防对策,包括芯片制造商生产过程中产生和封装厂生产中带入的脏污,另外列举了几种与脏污容易混淆的芯片工艺异常规象。     

LED灯失效的几种常见原因分析

本文基于LED发光二极管的工作原理、制程,找出了LED单灯失效的几种常见原因,并阐述了在材料、生产过程、应用等环节如何预防和改善的对策。     

关于LED单灯正向电压VF不良的探讨

文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺,探讨了LED芯片封装以后正向电压K升高和降低的常见原因,并提出了改善措施。对于GaN基双电极芯片,由于芯片工艺制程或后续封装工艺因素,造成芯片表面镀层（ITO或Ni／Au）与P—GaN外延层之间的结合被破坏,欧姆接触电阻变大。对于GaAS基单电极芯片,由于封装材料和工艺因素,导致芯片背金（N—electrode）与银胶,或银胶与支架之间的接触电阻变大,从而LED正向电压VF升高。LED正向电压VF降低最常见的原因为芯片PN结被ESD或外界大电流损伤或软击穿,反向漏电过大,失去了二极管固有的I-V特性。