基于SnS2/InSe异质结的高性能宽带光电探测器(英文)

我们报道了一种基于SnS₂/InSe垂直异质结的宽带光电探测器,其光谱范围为365-965 nm。其中,InSe作为光吸收层,有效扩展了光谱范围,SnS₂作为传输层,与InSe形成异质结,促进了电子-空穴对的分离,增强了光响应。该光电探测器在365 nm下具有813 A/W的响应度。并且,在965nm光照下它仍然具有371 A/W的高响应度,1.3×10⁵%的外量子效率,3.17×10¹² Jones的比探测率,以及27 ms的响应时间。该研究为高响应宽带光电探测器提供了一种新的方法。     

氧化铁石墨烯纳米材料的制备及其电化学性能研究

以普鲁士蓝类化学物铁氰化铁/氧化石墨烯为前驱体,通过加热分解制备得到氧化铁/石墨烯复合材料。铁氰化铁是立方体结构,在加热分解过程中,氧化反应和分解反应同时进行,实现立方体结构的保持。氧化石墨烯一方面提供给立方体结构的支撑;另一方面,表面的含氧基团提供更充分的氧化环境,在此同时氧化石墨烯被还原为石墨烯提高了导电性。得到的氧化铁/石墨烯复合材料具备以下几点特征:(1)氧化铁具备立方体机构适应电子和离子的快速传导;(2)石墨烯提高了氧化铁/石墨烯复合材料的导电性。石墨烯的存在分散了氧化铁离子,增加了更多的反应活性位点。