梁式引线肖特基混频管几何参数优化设计

利用CAD技术找出平面结构梁式引线混频管几何图形最佳尺寸,满足在特定条件下管子总电容和总电阴为最小,以提高截止频率改善器件性能.研制出的混频管在35GHz时双边带噪声系数为4.8dB,接近预期结果.     

八毫米GaAs梁式引线肖特基势垒混频管

基于Pucel平面电容器模型和Berger平面电阻器的传输线模型(TLM),借助CAD技术,优化设计了平面型八毫米粱式引线混频管的几何参数,确定了关系到器件性能的几个关键尺寸 L_g、W_g、L_o和 L_b对总电容和串联电阻的影响.采用了类似于GaAs MESFET的制作工艺,并严格控制器件的几何参数.研制的八毫米混频管,典型结果是,在35GHz下,单管双边带噪声系数为4.8dB.     

掩膜层生长导致n-GaAs表面化学组分的变化对微波器件性能的影响

利用AES和ESCA能谱仪和离子剥离相结合的方法,研究了不同温度下在n型GaAs上淀积SiO_2掩膜层的n-GaAs(100)表面化学组分的变化对形成肖特基结和欧姆接触的影响.在这基础上提出,通常淀积SiO_2过程是以淀积SiO_2为主,并伴随着GaAs本体氧化和As-O 键中的As挥发和氧转移到Ga上来形成附加的Ga_2O_3的两个物理过程所组成.解释了400℃淀积SiO_2掩膜层的3mm混频器各项性能优于700℃淀积SiO_2掩膜层的4mm混频器,而后者性能不够理想的原因是由于金属/n-GaAs界面处仍有β-Ga_2O_3而引起较多的界面缺陷所致.在An-Ge-Ni/GaAs界面处很薄的 β-Ga_2O_3对 An-Ce-Ni欧姆接触性能影响不大.但长期存放后在Au-Ge-Ni表面上形成的Ga_2O_3对欧姆接触就有影响.