TO-220F封装电子器件的开发与制造

介绍了制造TO-220F封装器件的核心技术,给出了TO-220F封装产品的工艺技术、制造设备的控制要点。解决了TO-220F全包封类型电子器件绝缘性能不稳定的问题。     

MOSFET无损封装技术研究

本文主要介绍功率MOSFET器件无损封装的研究。通过对封装过程中可能存在的一些易损伤环节进行了分析,同时根据测试发现不良样品的信息进行了反推解析,确定关键技术攻关问题点。该研究主要通过对MOSFET封装关键制程(划片、上芯、焊线三个环节)的工艺改善及优化,特别是创新的焊线定位装置设计,形成一套新颖有效的工艺流程,提升了MOSFET产品的测试良率。     

内串联型二极管封装产品研发

介绍一种新封装半导体器件的研发。通过对产品开发过程中各技术难点及相应解决方案的介绍,展现该产品的主要研发过程和所涉及到的关键技术难点。关键技术难点包括引线框架设计、设备改造、工艺控制等。引线框架(一种正向串联的二极管框架结构)设计产品的总体结构问题,是该过程的第一技术关键点。设备改造和工艺控制解决了生产实现和质量控制问题。     

TO－220FS封装工艺改进研究

文章通过分析对比TO-220FS4封装产品内部与传统全包封产品内部结构的差异性，来展现产品的生产、工艺流程中的各技术难点。然后通过对各技术难点进行成因分析并采取相对应的解决方案，使技术难关得到顺利攻克。该过程所攻克的技术要点包括工艺条件、工艺技术、设备改造，解决了粘晶过程的锡层控制、焊线过程消除应力作用、塑封针孔、去料道、剪切拉筋、绝缘测试等问题，顺利地实现了批量生产，装配后产品技术指示能满足市场要求，产品质量稳定。