现场STM针尖诱导Ag(111)表面局域刻蚀

本文报道用现场扫描隧道显微镜技术（in-situ STM)研究Ag(111）电极表面局域刻蚀。实验表明,STM针尖可以诱导有I^- 特性吸附的Ag(111)电极在其电化学稳定区发生表面局域刻蚀,刻蚀的发生与程度与针尖电位,样品电位及偏压等因素有紧密关系,刻蚀速度在偏压最小时达最大,刻蚀的发生也间接反映了电化学体系中的多重隧穿途径及其随电极电位的变化。