聚焦离子束制备透射电子显微镜样品的两种厚度判断方法

透射电镜样品的厚度是透射电镜(TEM)表征中一个重要参数,快速准确地判断样品厚度是制备高质量样品的前提.本文通过使用聚焦离子束(FIB)制备了带有厚度梯度的透射电镜样品(Si、SrTiO3和LaAlO3),并提出两种制样过程中快速判断厚度的方法.第一种通过扫描电子显微镜(SEM)的衬度变化经验地判断样品的厚度;第二种是用FIB在样品边缘切一个斜边,通过SEM测量斜边侧面的宽度用几何方法推断样品的厚度.这两种方法都通过会聚束电子衍射(CBED)和电子能量损失谱(EELS)测量的厚度作为检验标准.对比认为,样品较薄时用SEM衬度测厚比较合适;样品比较厚时用几何方法测量比较直接.     

二维半导体异质结MoS2/MoSe2中一维量子阱形成机制的电子显微学研究

本文使用两步化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD)成功合成了单层二维半导体MoS₂/MoSe₂面内异质结,通过扫描透射电子显微学(scanning transmission electron microscopy, STEM)对异质结中不同类型的量子阱进行了原子尺度结构和局域应力分析,探索了二维半导体材料中,不同结构特征处诱导形成一维量子阱结构的机理。主要包括：(1)晶格失配的二维半导体异质结界面处周期性位错阵列诱导形成的量子阱超晶格;(2)二维半导体晶格内非60°晶界所包含的周期性位错诱导形成周期可控的量子阱超晶格;(3)由连续4|8元环结构组成的60°晶界诱导形成的超长单一量子阱结构。     

单色球差校正扫描透射电子显微镜的实验室设计

随着扫描透射电子显微镜(STEM)球差校正技术以及电子束单色器技术的出现,电镜的空间分辨率和能量分辨率都有了革命性的提高。然而这些技术的出现只是使仪器的精度提高并不是使仪器对环境的要求更宽松。相反,为了达到更高的精度,仪器对于实验环境的要求变得越来越严格,所以环境的稳定性经常成为仪器精度的限制因素。本篇文章介绍了如何针对超高能量分辨率和空间分辨率的单色球差校正扫描透射电子显微镜而建造一套满足要求的实验室。其中包括微振动控制、磁场干扰、温度波动、噪声和独立接地电阻以及洁净度等对电镜性能的影响以及应对方法。