可见和近红外用增透膜

探讨了10种由真空热蒸发法制得的可见光和近红外用双层增透膜,示出增透膜的光谱特性。     

毫微秒级输入光电装置参数的选择

本文示出在50-100毫微秒脉冲接收时探测器一电子前置放大器系统输出端最大信号与均方噪声比的曲线,探讨用这些曲线来合理选择探测器和电子管的负载并计算其信噪比。     

非冷却PbS单晶光电二极管

化学淀积或喷涂PbS红外探测器已获得广泛应用,但对单晶光电二极管也值得引起注意。制造这种光电二极管用的是以布里奇曼-斯托巴盖尔法生长的n-型PbS单晶。为了获得理想载流子浓度P-型材料单晶片首先在样品控温条件下及硫蒸汽压下退火。将单晶试样置于真空封焊石英安瓿中,在500℃温度下加热3～5分钟以制得P-n结,如资料[1]作者所做的那样。P-区接点用的是金,而n-区用的是铟。这种光电二极管不需要装在真空容器中,因为在一般条件下存放,对其灵敏度没有显著的影响。图1示出室温典型PbS光电二极管灵     

Cd_xHg_(1-x)Te外延层生长时Cd转移的研究

资料[1]对用蒸发-冷凝-扩散法生长Cd_xHg_(1-x)Te外延层之研究表明,外延层的生长取决于碲的冷凝速度。此外,曾假设,外延层的形成不仅是由于HgTe和CdTe的互扩散,而且还由于衬底反面蒸发镉的俘获。本文就此假设作一验证。     

红外跟踪器误差信号产生及处理系统

红外扫描系统一般采用旋转棱镜、扫描圆盘或旋转倾斜透镜,使目标扫过探测器面,从而产生导弹的跟踪或制导信号。在这些器件中噪声信号干扰了目标信号,因此影响目标的跟踪和控制。另外,一般的系统是用一个宽视场,故降低了导弹跟踪和控制所需的灵敏度。本文提出一种红外跟踪误差信号发生器。它是一个望远镜,其中有一个透镜和扫描机构。这种望远镜的瞬时视场小,所以对     

粘合窄带干涉滤光片老化的因素

资料[1,2]指出,在用真空热蒸发法及淀积于未加热衬底而制成的介质窄带干涉滤光片上粘合防护片不能使其光学特性保持长期稳定。资料中没有报导关于粘合滤光片λ_(最大)波长变化的原因。为此,本文对此作了探讨。     

沿轴[111]切割的GaAs调制晶体的应用

目前调制红外辐射用的GaAs单晶都是43m立方系晶体。资料[2]曾指出,对振幅调制最有效的晶体切割法是使控制场垂直于面(110),而辐射沿轴[110]扩展。此时控制电压值与l/d(l——所用晶体的长度,d——厚度)成比。但由于GaAs晶体沿轴[111]生长,不能制得上述切面的长试样。     

Cd_xHg_(1-x)Te晶体杂质导电区的载流子复合

研究了n-型Cd_xHg_(1-x)Te晶体(x=0.195～0.22,85K时平衡载流子浓度n_0=3×10~(14)～6×10~(15)厘米~(-3))中的带间俄歇复合。列出在杂质导电区实现最佳寿命τ的条件。计算了τ与组分和掺杂程度的关系。就光电灵敏度下降的样品,讨论了材料中可能产生的显微不均匀性和局部中心的复合过程。     

Cd_xHg_(1-x)Te外延层的研究

在同一温度安瓿瓶中的不同过量组份条件下用“蒸发-冷凝-扩散”法于衬底上生长Cd_xHg_(1-x)Te外延层。研究了生长层的光和电物理性能,并根据生长层厚度研究其性能的变化。指出,在安瓿瓶中加入过量镉实际不影响外延层的性能和生长速率,而加过量碲则加速生长。看来,影响外延层生长的主要因素是HgTe源中碲的蒸发。     

近红外用异质结探测器

介绍一种n-Si-p-PbS异质结光伏探测器。这种器件工作在室温下,波长为0.6～3微米。文中示出大小两种工作面积的探测器的参数,它们相应用于短路电流和光电动势范围内。