提高中规模MOS集成电路成品率的重要措施——如何选择单晶材料的电阻率

在实践中我们认识到单晶材料的电阻率与中规模MOS电路的成品率有很大关系。现简单分析如下: 关键是L′,如图1所示。 设沟道的几何尺寸为L,扩散结深为x_j,器件处于饱和状态时漏附近的耗尽层宽度为x_m,则沟道的有效长度为: L′=L-2x_j-x_m (1) 我们知道:当栅压|V_(GS)|>V_T时,栅下面的硅表面将由N型变为P型(对P沟道而言),这个P型层就是所谓沟道。沟道与衬底所形成的结称感应结。因沟道的厚度很薄,所以感应结为突变结。由突变结的耗尽层公式可得:     

创新——姚桥煤矿建设高产高效矿井的动力

创新，实际上是一种勇气。在矿上干了二十多年的工人师傅们难以想象，短短的两年之内，矿井单产单进和工效提高的速度如此之快。从1997年开始，全矿产量每年都以60万t的速度递增，全员工效提高了近70%，建成了两个年产超百万吨的采煤队和年进尺5000m的综掘队。矿长李新宝深有体会地说，我们建设高产高效矿井的速度之所以如此快，是因为我们敢于在技术和管理创新上大胆实践。1 决策——超前的号角姚桥矿的决策者们认为，思维创新是企业发展之本，是企业在市场竞争中的决胜之源，只有敢于突破，才能立于不败之地。1997年以来，姚桥矿针对井下…     

一种新颖的负阻开关器件——双向负阻晶体管

<正> 在半导体器件的发展史上,曾出现过多种负阻开关器件.但是能够成为一种实用化的、并在脉冲电路中获得广泛应用而具有生命力的负阻器件却为数不多.在这里考虑的主要因素是:器件的响应速度、输出脉冲的电压摆幅、负阻的稳定性和可控性,以及器件本身的制造工艺和对所用半导体材料的性能要求等.为了适应集成电路发展的需要,     

双向负阻晶体管,一种新的半导体开关器件

已知的几种半导体负阻器件,都各具优缺点。如隧道二极管的开关速度很快,但提供的输出脉冲幅度较小(几百mV)。雪崩晶体管具有毫微秒范围的响应时间,但通常要求较高的直流电压(几十伏至