微波晶体管最小噪声系数的最佳源导纳

微波晶体管的噪声测量表明,最小噪声系数的最佳源导纳近似等于随频率增加的晶体管输入导纳的共轭复数值。这个事实可以用微波晶体管的噪声等效电路来解释。     

Ka波段高电子迁移率晶体管的研制

介绍了35GHz赝配高电子迁移率晶体管的设计、制造与性能。在测试频率为35GHz时,该器件的最小噪声系数为2.46dB,相关增益为6.95dB。这是国内首次设计定型的8mm三端固态有源器件,其性能达到了1990年12月Alpha公司公布的AF040N3-00 HEMT的水平。     

12GHz直播卫星接收前端

<正> 一、概述直播卫星(DBS)电视广播具有覆盖面积大、传播距离远、传输质量高等优点,是其他传播方式无法比拟的。因此,DBS电视广播在国外得到迅速发展,成为电子科学发展的一个重要方面。我国幅员辽阔,地形复杂,山区占陆地面积的百分之八十。目前电视覆盖的面积很小,人员覆盖也仅达百分之三十。因此,解决覆盖率问题是我国电视发展的当务之急。解决这个问题的最有效的办法是尽快地发展卫星直播电视。 DBS接收系统如图1所示。从卫星上发射信号(下行频率)传播到地面被接收机所接     

1982年国际固体器件会议简介

<正> 1982年国际固体器件会议于8月24日至8月26日在日本东京召开,我电子工业部组成五人代表团和以王守武为首的中国科学院半导体所的三人代表团出席了会议。会议于8月24日正式开幕,上午进行四篇大会特邀报告,下午开始分三个会场进行专题报告。这次国际会议规模较大,出席会议的有来自12个国家的600多名学者和专家,会上共宣读了136篇论文。日本是东道国,宣读了92篇论文,其他是美国23篇,中国4篇(包括台湾2篇),英国4篇,法国3篇,西德3篇,苏联2篇,荷兰、委内瑞拉、南朝鲜、加拿大、     

Q波段砷化镓场效应晶体管放大器和振荡器

在12～20千兆赫的频率范围内研究了肖特基势垒栅砷化镓场效应晶体管。最大有用功率增益的测量表明,在这个范围内,器件具有比预期更高的增益。用带线技术制成了输出功率为4毫瓦的17千兆赫振荡器和功率增益为16分贝的四级14.9千兆赫放大器。     

X波段砷化镓金属-半导体场效应晶体管混频器的性能

提出了砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)混频器的信号特性的理论分析和实验证明。描述了估计某些混频器参数的实验技术。在X波段下,对砷化镓MESFET混频器进行的实验表明:它有良好的噪声性能,并可得到大的动态范围以及变频增益。在7.8千兆赫下测得变频增益大于6分贝。在8千兆赫下,平衡的MESFET混频器的噪声系数低至7.4分贝,输出三阶互调截止点为+18分贝毫瓦。     

12GHz平面型低噪声GaAs MES FET

本文从考虑了GaAs外延层与衬底的界面陷阱效应的等效电路出发,对影响器件噪声的主要因素进行了理论分析,给出了器件设计范围内的噪声系数与等效电路参数、器件结构参数、材料参数和工作频率的关系曲线。提出了氧离子注入的新型平面器件结构,用普通接触式补偿光刻法制作了亚微米栅条,所得器件比普通台式器件具有更低的微波噪声。在12GHz下,噪声系数为3.5dB,相应的增益为5dB。给出了2～12GHz全套S参数。器件平均工作寿命达2×10~7小时。进行了2～12GHz范围内微波低噪声放大器、混频器和振荡器等应用试验,取得了初步的良好结果。     

调制掺杂低噪声器件

制造了0.4μm×250μm栅赝配AlGaAs-InGaAs HEMT。器件具有比良的高频、低噪声特性。赝配材料采用分子束外延生长。本文介绍了器件结构、性能并讨论了沟道电子的平均速度。     

60GHz GaAs FET放大器

用1/4μm栅结构研制出新的毫米波场效应晶体管(FET)器件。这个器件在波导-微波集成电路(MIC)放大器电路中从55～62GHz有5.0±0.5dB的增益,在60GHz下最小噪声系数为7.1dB。