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基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义。C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好。该模型还与CAD工具的通用电容模型进行了比较,结果表明新模型具有更高的精度。 相似文献
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学生课外科技创新教育体系的构建 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过对学生电子课外科技创新存在问题的分析,将数字化教育理念引入课外电子科技创新,建立了包括教材、课程、网络平台及自制实验设备等完整的课外电子创新体系教育体系.实践证明,新的教育体系有利于电子科技创新活动的规范化管理,可以提高教师指导效率和节省经费开支,对学生工程实践和创新能力的培养起到重要的促进作用. 相似文献
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利用严格耦合波分析方法和模式传输线理论,对硅薄膜太阳电池结合DBR(Distributed Bragg Reflector,分布布拉格反射器)和衍射光栅的叠层底部背反射器结构进行了优化设计。结果表明,光栅周期、光栅厚度和光栅宽度分别为0.5λg、0.18λg、0.48λg(λg为硅的带隙波长)以及对应的DBR中心波长为0.85μm时,太阳电池对光子的总吸收最强,且总吸收的提高主要来自于对长波光子的吸收增强,提高了薄膜太阳能电池对长波光子的陷光能力。 相似文献
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基于Sentaurus TCAD数值分析平台,采用非晶硅的DOS模型对禁带中缺陷态进行表征,建立a-Si:H薄膜太阳电池的二维数值模型。对P-I-N结构的非晶硅太阳电池的本征区、P型区、N区以及P/I界面的特性进行研究,得到参数与薄膜太阳电池性能之间的关系。通过电池物理和结构参数的优化,在界面处引入ZnO作为反射层,优化得到太阳电池填充因子为74.7%,AM1.5下光电转换效率为10.1%,表明采用TCAD数值仿真可有效用于非晶硅太阳电池本征参数和反射层的优化设计,提高电池转换效率。 相似文献
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