电路开关速度与输入偏置方式无关的二输入端与非门电路的设计

前言 为了制造高超CMOS逻辑IC,引进微细加工技术、等平面全离子注入技术及减薄氧化膜厚度等变更工艺参数,固然是十必要的。但在电路上下功夫,选择更适合高速的电路形式也是相当重要的。本报告讨论了常规的二输入端与非门电路的两个输入端的开关特性受输入偏置方式的影响而有明显差异的问题,分析了造成差异     

含三氯乙烯热氧化气氛中制备优质二氧化硅膜

栅氧化膜介质是制作MOS电路的关键工艺之一。过去一些年来大量地开展了关于制备优质二氧化硅栅介质膜的研究,认为在热氧化生长二氧化硅时在氧化气氛中适当地添加氯化物是很有裨益的。添加三氯乙烯于氧化气氛中是其中的有效方法之一。本实验对表征含氯量的一些参数(如攜带气体流量、三氯乙烯沅温等)进行适当控制,获得较为满意的结果。并发现不同的衬底要求不同的含氯量,相应的调节在电路制作中实现了对开放电压的控制。在采用了分段退火法后基本上消除了C-V特性曲线的滞后效应。     

用HCl加热氧化法制备优质栅氧化物介质的实验

栅氧化物介质是MOS电路制作中的关键工艺之一。近年来大量地报告了有关在热生长栅氧化物介质时将氧或氧化物适量地添加到氧化气氛中去。证实了可以获得优质的栅氧化物介质,HCl氧化法就是其中方法之一。我们在鼓泡法基础上利用不同温度下HCl的PHCl值的不同,对HCl进行加热,实现了简便地控制优质栅氧化物介质的目的。大量实验证明这是切实可行的。