PLD法生长Al_2O_3基ZnO薄膜的特性

在不同衬底温度下,用脉冲激光沉积法(PLD),在Al2O3(0001)平面上生长了ZnO薄膜。研究了衬底温度对其结晶质量、电学性质以及发光性质的影响。结果显示:XRD在2θ为34°处出现了唯一的ZnO(0002)衍射峰;ZnO薄膜的电阻率随衬底温度的升高而增大;在衬底温度为500℃时,出现了位于410nm附近的特殊的光致发光(PL)峰。     

网络安全风险监测系统研究与设计

本文从理论上提出了一种网络风险监测系统的设计方案,将多种网络安全主动防御技术有机地结合,形成预警、保护、检测、响应、恢复和反击于一体的主动防御体系.     

浅谈电磁辐射的危害及其有效的防护对策

随着现代科学技术的迅猛发展和电器设备的普及,电磁辐射已遍布人们生活的角角落落,其强度越来越高,对人类的健康、生产和生活产生巨大的影响,越来越引起了人们的重视.本文对电磁辐射的产生原因、影响程度以及日常生活中如何进行防护进行阐述分析.     

Oxygen Evolution at Nickel Hydroxide Films Co-deposited Light Rare Earth Elements

1 ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｎｉｃｋｅｌｈｙｄｒｏｘｉｄｅｈａｖｅｂｅｅｎｓｔｕｄｉｅｄｅｘｔｅｎｓｉｖｅｌｙｄｕｅｔｏｉｔｓｉｍｐｏｒｔａｎｃｅａｓａｃｔｉｖｅｍａｔｅｒｉａｌｓｉｎｎｉｃｋｅｌｂａｔｔｅｒｙｓｙｓ ｔｅｍｓ[1 ].Ａｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇｏｆｔｈｅｅｆｆｅｃｔｓｏｆｍｅｔａｌｌｉｃａｄｄｉｔｉｖｅｓａｎｄｉｍｐｕｒｉ ｔｉｅｓｏｎｔｈｅｎｉｃｋｅｌｈｙｄｒｏｘｉｄｅｅｌｅｃ…     

退火时间对磁控溅射Al/PbTe薄膜结构及性能的影响

采用RF磁控溅射法制备了Al/PbTe薄膜,并在真空电阻炉中对薄膜进行退火处理,研究了退火时间对Al/PbTe薄膜的表面形貌、物相组成、透射率和电阻率的影响。结果表明：所制备的Al/PbTe薄膜具有明显的〈100〉方向择优取向;随着退火时间的延长,薄膜的PbTe（200）衍射峰强度明显下降,并且出现了PbTe（111）衍射峰;退火后Al/PbTe薄膜表面出现了花状聚集,且随着退火时间的延长,花状聚集越来越密集和均匀;退火后Al/PbTe薄膜的吸收带向短波方向发生了少许偏移,随着退火时间的延长薄膜的透射率和电阻率都呈现先减小后增大的趋势。     

~(238)Np全套中子数据更新评价

裂变核全套中子评价数据为反应堆设计和安全运行、乏燃料次锕系核素嬗变、嬗变系统及高燃耗反应堆设计提供重要的基础数据。本文以一套全新的n+238 Np的中子光学模型势参数为基础进行理论分析,并根据Np各同位素反应截面系统变化规律,对模型势参数进行了调整,最后完成了全套中子数据的更新评价,与CENDL-3.1评价结果相比有较明显的改进。     

氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响

采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。测试结果表明：采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配。同时显示：在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高。     

硅基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜

采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜,研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响.利用红外透射谱(FHR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、光电能谱(XPS)和荧光光谱(PL)对生成的GaN薄膜进行组分、结构、表面形貌和发光特性分析.测试结果表明:采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.同时显示:在相同的氮化温度和时间下,随着硅基扩镓时间的增加,薄膜的晶体质量和发光特性得到明显提高.但当硅基扩镓时间进一步增加时,薄膜的晶体质量和发光特性却有所降低.较适宜的硅基扩镓时间为40min.     

Ag反射膜厚度对PbTe热电薄膜性能的影响

采用真空蒸发法制备相同厚度的PbTe薄膜,再利用RF磁控溅射法在上面制备不同厚度的Ag反射膜,采用XRD、SEM、FTIR和四探针法分别对制备样品的物相组成、表面形貌、透射率和电阻率进行测试,结果显示,所制备的薄膜具有明显的〈100〉方向择优取向,呈多晶结构,随着反射膜厚度的增加,薄膜结晶性能先降低后增加;晶粒尺寸增加,表面粗糙程度先降低后增加;薄膜光学性能在一定膜厚范围内,随着反射膜厚度的增加透射率降低,超过一定膜厚时,透射率降为零;随着反射膜厚度的增加,电阻率呈先急剧降低后缓慢降低的趋势。     

EMPIRE计算30MeV以下~(238)U中子核反应数据

为进一步完善核数据评价手段,本文将EMPIRE应用到中子引起锕系核素的核反应模型分析中,根据中子核反应机制的特点,选取恰当的核反应模型及模型参数,以实验数据为基础对模型参数进行调整,由EMPIRE计算获得30 MeV以下能区n+238 U的核反应数据。从计算结果与实验数据以及各评价库数据对比来看,EMPIRE可得到较合理的结果。