In0.53Ga0.47As表面氮化和硫钝化对其Al/Al2O3/InGaAs MOS电容特性的影响

本文通过对比频散特性和滞回特性,计算界面态密度D_it和有效边界缺陷密度ΔN_bt,分析界面缺陷和漏电流等方法,系统的研究了In_0.53Ga_0.47As表面氮化和硫钝化对其Al/Al₂O₃/InGaAs结构MOS电容特性的影响。实验结果表明,这两种方法都能够在InGaAs表明形成一层界面钝化层。相比较于未处理的样品,经过氮气等离子体处理的样品表现出较好的界面特性,得到了最小的积累区频散、滞回电压,以及良好的I-V性能。经过(NH₄)₂S_x处理的样品则获得了最小的平带电压区频散以及最低的界面态密度Dit=2.6E11cm_-2eV_-1.