功率MOSFET器件单粒子烧毁252Cf源模拟试验研究

本工作涉及利用²⁵²Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术，对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究。研究结果表明：在空间辐射环境下，功率MOSFET器件尽量使用在低电压范围内；在电路设计中附加必要的限流电阻是1种十分有效的抗单粒子烧毁措施。     

月球探测辐射环境分析

扼要介绍了月球探测的辐射环境,分析了CE-1在轨探测的辐射环境数据,在此基础上,分析了月球辐射环境对探测器的影响,提出了后续月球探测辐射防护研究建议。     

N-苯基马来酰亚胺衍生物及其多元共聚物对聚合物耐热改性的研究进展

介绍了近5年来国内外N-苯基马来酰亚胺(N-PMI)衍生物改性胶黏剂的研究进展及其多元聚合物改性丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)树脂、环氧树脂的研究进展,并对今后的发展前景做出展望。     

脉冲激光参数对单粒子翻转阈值能量的影响

分析了在激光模拟单粒子效应试验中激光波长、束斑大小、脉冲能量、脉冲宽度等脉冲激光参数对阈值能量的影响。其中,利用A．Douin理论预测的单粒子翻转（SEU）激光阈值能量与作者的试验结果相吻合,同时,采用阈值LET等效原理对激光诱发单粒子翻转的脉冲阈值能量标定系数计算的结果表明：波长为1064nm的皮秒激光脉冲阈值能量等效重离子LET值与器件敏感体积的电荷收集深度无关。     

星用功率MOSFET器件总剂量效应试验研究

本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60 γ射线辐照试验研究.在γ射线辐照过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征照片和曲线,得出被试器件的抗总剂量水平.     

国外月球探测有效载荷进展状况

调研了国外月球探测有效载荷发展现状及月球探测有效载荷的发展趋势和技术特点.调研分析表明,近年来国外月球探测不局限于月球环境,在探测月球辐射环境的同时兼顾辐射效应的监测,其有效载荷的发展趋向小型化、多功能化,在此基础上,提出了月球探测有效载荷配制建议,可为后续月球和深空探测载荷配制提供参考.     

功率MOSFET单粒子烧毁测试技术研究

总结了2种单粒子烧毁测试方法.在非破坏性测试原理基础上,研制成功针对星用功率MOSFET的单粒子烧毁动态测试系统.系统在锎源单粒子效应实验装置调试通过.利用该系统,在HI-13串列加速器上初步完成了星用MOSFET单粒子烧毁验证实验.     

IDT6116单粒子敏感性评估试验技术研究

为评估IDT6116SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和²⁵²Cf源3种不同的地面模拟源,对IDT6116SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量效应对单粒子效应影响的试验研究。研究结果表明：IDT6116SRAM抗单粒子翻转和锁定的能力较强;接受一定辐照剂量后的试验样品对单粒子翻转更加敏感,且翻转阈值略有降低,翻转截面略有增大。     

MOSTET器件单粒子烧毁效应（SEB）截面测量

MOSFET功率管器件是卫星关键器件之一。单粒子烧毁(SEB)效应指由于功率晶体管中的高电流状态致使器件损伤,造成永久性破坏。在本MOSFET功率管烧毁效应截面测量实验装置的探测器室中,DUT为被研究的10片MOSFET功率管器件,连同检测探测器SD2和位置灵敏探测器PPSD一起,固定在可沿焦面移动的小车上。通过92芯真空密封座引出,器件与专用MOSFET功率管测试系     

脉冲激光能量等效重离子LET研究

基于重离子和脉冲激光与Si材料相互作用的机理分析,提出了脉冲激光能量等效重离子LET的等效判据。该判据认为:如果半导体材料每吸收1个光子就能产生1个载流子,则脉冲激光和重离子诱发1个载流子所需的能量是等效的。利用该等效判据及Beer定律,推导出线性吸收条件下脉冲激光能量与重离子LET之间等效换算公式。本工作计算的脉冲激光能量等效LET结果与国外文献结果一致。