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1.
硒化温度对Cu(In, Al)Se2薄膜结构和光学性质的影响
曹辉义
邓红梅
崔金玉
孟宪宽
张俊
孙琳
杨平雄
褚君浩
《红外与毫米波学报》
2015,34(6):726-730
采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒(Cu(In,Al)Se2,CIAS)薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度,其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研究结果表明,CIAS薄膜的最佳硒化温度为540℃,其晶体结构为纯黄铜矿结构,禁带宽度为.34 eV,对应太阳电池理论最大效率的吸收层材料禁带宽度
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