首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  免费   2篇
无线电   2篇
  2008年   2篇
排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
在这篇论文中,我们提出一种适用于 QCIF 解析度、262千色的薄膜电晶体液晶显示器,具有低静态电流和晶片面积的源极驱动电路架构.此类驱动晶片可以实际被应用于行动电话或其他高阶可攜式电子产品上.传统A、B、C等三种形式的源极驱动电路,需使用大量的运算放大器来驱动面板中的画素,和较大阻值的电阻式数位类比转换电路来产生珈玛电压,以保有最低的静态消耗电流.而我们提出的第四种源极驱动电路架构,仅使用二个运算放大器和较低电阻的电阻式数位类比转换电路,而且并不会增加静态消耗电流.因此,这颗源极驱动晶片,不仅可省下晶片面积、增加产品竞爭力,更可以降低静态功率的消耗以延长电池的续航力.我们所提出的运算放大器和源极驱动电路之原型晶片,是利用 3.3 V、0.35 μm ACMOS的制程技术来实现的.运算放大器电路的核心尺寸大小为 100 μm×50 μm,源极驱动电路为 400 μm×650 μm.由我们所提出的第四种驱动电路架构,晶片面积约可减少 54.25%,而静态消耗电流仅需 2.6%.  相似文献   
2.
为了降低 TFT-LCD 闸驱动电路中电晶体因畏期承受高的闸电压应力造成門限(Threshold)电压之劣化现象,本研究中探用双下拉结构与放电路径方式设计了一个高可靠性的 TFT-LCD 面板整合(On-panel)闸驱动电路.其中,交互道通的双下拉结构减少下拉电晶体的承力晴同;放电路径则将输出驱动电晶体高的闸极电压及時洩放.所提结构由台积电(TSMC)0.35 μm CMOS 制程技术制作之评估晶片经测试显示,门限电压的偏移量减少了近 45%,改善效果极为显著.应用到α-SiTFT-LCD 面板整合闸驱动器上,其成效当可预期.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号