全文获取类型
收费全文 | 93篇 |
免费 | 0篇 |
国内免费 | 19篇 |
专业分类
电工技术 | 2篇 |
化学工业 | 4篇 |
金属工艺 | 2篇 |
机械仪表 | 6篇 |
建筑科学 | 6篇 |
矿业工程 | 5篇 |
石油天然气 | 1篇 |
无线电 | 75篇 |
一般工业技术 | 6篇 |
冶金工业 | 4篇 |
自动化技术 | 1篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2020年 | 1篇 |
2014年 | 2篇 |
2013年 | 1篇 |
2012年 | 3篇 |
2009年 | 1篇 |
2008年 | 1篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 2篇 |
2005年 | 13篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 4篇 |
2002年 | 7篇 |
2001年 | 4篇 |
2000年 | 11篇 |
1999年 | 5篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 7篇 |
1995年 | 1篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 5篇 |
1991年 | 6篇 |
1990年 | 2篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
1973年 | 1篇 |
1966年 | 2篇 |
排序方式: 共有112条查询结果,搜索用时 234 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
本文进一步探讨了有关双反馈晶振低噪声性能的问题,着重分析了石英谐振器静电容C_0对双反馈晶振电路Q倍增固子、石英谐振器Q值及净噪特性的影响。为验证上述C_0的影响,也对不同C_0的石英谱振器的相噪特性进行了测量并得到了与分析一致的结果。 相似文献
7.
8.
9.
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9. 相似文献
10.