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针对高纯乙腈连续精馏过程多塔串级及操作条件优化困难等特点,在深入分析乙腈连续精馏工艺流程及机理基础上,通过物料衡算、能量衡算、环境影响衡算和水力学分析等原理,结合必要的合理假设,建立乙腈连续精馏多塔的动态数学模型,对脱醇塔、减压塔和加压塔分别进行动态模拟和分析,考察塔内压力、加热蒸汽量等对分离过程的影响,并进一步寻找这些因素对出料乙腈的动态变化数据,为实施系统的集成优化与控制提供了良好基础.  相似文献   
2.
椭圆曲线密码(ECC)芯片的抗功耗攻击能力往往以电路性能、面积或功耗为代价.该文分析了在椭圆曲线密码点乘运算中密钥猜测正确与错误时的中间数据汉明距离概率分布差异性,提出一种基于动态汉明距离调控的功耗补偿方法,利用模拟退火算法离线寻找最优的映射矩阵,最终形成椭圆曲线密码硬件电路的等概率映射补偿模型,大大降低了中间数据与功耗的相关性.同时,以该模型为指导设计了低成本的同步功耗补偿电路,在CMOS 40 nm工艺下,防护后的ECC128电路面积增加22.8%.基于Sakura-G开发板开展了测试验证,防护电路的功耗仅增加18.8%,最小泄露轨迹数大于104,抗相关功耗分析能力提升了312倍.该策略在与随机化方法防护能力相当的情况下,不损失电路性能且硬件成本小,适用于高速或资源受限的ECC电路.  相似文献   
3.
椭圆曲线密码(ECC)芯片的抗功耗攻击能力往往以电路性能、面积或功耗为代价。该文分析了在椭圆曲线密码 点乘运算中密钥猜测正确与错误时的中间数据汉明距离概率分布差异性,提出一种基于动态汉明距离调控的功耗补偿方法,利用模拟退火算法离线寻找最优的映射矩阵,最终形成椭圆曲线密码硬件电路的等概率映射补偿模型,大大降低了中间数据与功耗的相关性。同时,以该模型为指导设计了低成本的同步功耗补偿电路,在CMOS 40 nm工艺下,防护后的ECC128电路面积增加22.8%。基于Sakura-G开发板开展了测试验证,防护电路的功耗仅增加18.8%,最小泄露轨迹数大于104,抗相关功耗分析能力提升了312倍。该策略在与随机化方法防护能力相当的情况下,不损失电路性能且硬件成本小,适用于高速或资源受限的ECC电路。  相似文献   
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