上海SECCO 90万t/a乙烯装置仪表总线电缆安装与检查

仪表总线是乙烯装置仪表工程施工的重点,技术含量高、施工难度大,施工质量对乙烯装置的试车和正常运行都有重要的影响。本文根据上海90万t/a乙烯装置仪表工程项目管理工作体会,对总线电缆施工过程和检查要点进行了总结。     

合成氨厂氢氮比控制系统分析

目前,由于造气炉的状态控制尚未实现,氢氮比控制系统仍然采用反馈控制。我们采用的是依据物料衡算原理,通过计算机模拟寻求被控变量在工艺系统各点的静态参数,再辅助以系统特性测试,由这两步的综合,建立起一个控制装置的模型。模型参数     

重结硅光电二极管

本文提出了一种重结光电二极管结构.这种结构由一个接近表面的浅结和一个较深的结组成,这两个结可以分别有效地收集产生在接近表面的和产生在体内的光生载流子,这对于提高光电二极管从短波长到长波长光的响应都是有利的.通过对所作实验样品的光谱响应灵敏度的测量,说明重结光电二极管结构对改善光电器件的光谱响应是有效的.     

非零金属电阻值和合金化对确定比接触电阻值的影响

水文提出用圆环测试结构和双传输线模型确定金属-半导体欧姆接触的比接触电阻ρ_C值。考虑了金属电阻值不为零和合金化后金属接触下方半导体电阻率的改变对确定比接触电阻值的影响,导出了计算比接触电阻值的公式。用提出的方法对实验样品进行测量和计算,并将结果与文献中报道的方法所得结果作了比较。     

浅析挤注钢管塑料衬里的技术特点

介绍了挤注钢管塑料衬里的技术特点及性能优势，指出了这种工艺及产品有着广泛的用途。     

金属-半导体欧姆接触比接触电阻值的微机自动测定

本文描述了欧姆接触的测试原理和测定欧姆接触比接触电阻的微机自动测试系统,并用该系统对制备的欧姆接触进行了测量,其测量精度优1%,测试系统使用方便,操作简单,获得结果迅速、可靠,适合于半导体器件的欧姆接触工艺研究与监控中比接触电阻的测定.     

MOS结构低温负偏压温度不稳定性

本文报道了在氧等离子体中暴露过的热生长二氧化硅ＭＯＳ结构，置于－１７０至１００℃的环境中，经受－０．３至－１０ＭＶ／ｃｍ电场作用１ｍｓ至１００ｓ的时效处理后，仍然表现出不稳定性的实验结果．１至１０ｍｓ的时效时间是常规负偏压温度不稳定性试验时间的几百，乃至几十万分之一，用这样短的低温负偏压应力，研究了光照对ＭＯＳ结构负偏压温度不稳定性的影响，实验与预想一致，Ｎ型ＭＯＳ结构应力处理时，若无光照，时效时间短于１０ｍｓ，处理后Ｃ－Ｖ曲线不位移，若有光照，Ｃ－Ｖ曲线向左位移０．１５Ｖ左右．对于Ｐ型ＭＯＳ结构，Ｃ－Ｖ     

在MBE生长的SI—GaAs衬底上单片集成AlGaAs/GaAs多量子阱激光器和GaAs金属—半导体场效应晶体理

近年来,在同一衬底上单片集成光电子器件的研究相当活跃,现已报导的一些光电子集成电路(OEIC),大多采用液相外延(LPE)生长多层结构。日本富士通的T.Sanade等人报导了在MBE生长的SI—GaAs衬底上的AlGaAs/GaAs多量子阱(MQW)LD和GaAsMESFET的单片集成。由MQW激光器和两只MESFET组成的集成结构如图1所示。所有外延层均用MBE法在(100)SI—GaAs衬底上生长。MBE生长分别进行三次,即n~+-GaAs接触层,激光器结构和FET层。生长激光器结构时,衬底温度为710℃。沟槽腐蚀后,先在SI—GaAs衬底上生