微波反射法测量半导体电阻率与温度的关系

本文报导了用微波介质波导反射法无接触测量半导体电阻率的实验装置.利用该装置测量了一组样品的电阻率与温度(100～500K)关系,讨论了载流子迁移率与温度关系和Dorkel的半经验公式.     

CdTe:Sm晶体红外吸收光谱的研究

本文报道了CdTe: Sm晶体红外吸收光谱的研究结果.根据立方晶体场理论和Sm离子4f能级间的跃迁特性,分析确定了 CdTe:Sm晶体中 Sm~(2+)、Sm~(3+)离子在晶格中的位置类型及其晶体场特性,用点电荷模型计算了不同位置的Sm~(3+)周围的晶体场参数.     

背处理对背钝化晶体硅太阳电池性能的影响

通过模拟计算,较高的背面反射率对太阳电池电性能的改善很有帮助,短路电流密度的提升是主要贡献。文中对晶体硅应用不同的背面处理方式得到不同形貌结构。考虑到工艺的复杂程度等方面因素,最终确定使用酸处理背面较为理想。同时也确定了背面酸处理的程度。在此基础上,正面使用SiNx作为减反膜、背面使用AlOx/SiNx叠层钝化膜制备的电池,背处理后电池转换效率绝对值可提高0.1%以上。     

硅中氧的FTIR研究

对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80～4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm~(-1)处的吸收是硅中氧的吸收峰.     

半磁半导体Zn_0.97Co_(0.03)S的红外磁光研究(英文)

The absorption spectra of ternary mixed crystal Zn0.97Co0.03.S SMSC have been measured by using a Fourier transform spectrometer and a high field sup3rconducting magnet.The absorption lines shift or split when magnetic field is added. The widthes and the positions of lines also change with temperature. These phenomena can be interpreted by S-L interaction of d-electrons in Co2+ and Jahn-Teller effect because of coupling between electrons, vibration modes of Co2+ and their neighborhood atoms. The absorption spectra of samples with different Co concentrations are also measured at different temperature, and the phenomena are well discussed.     

磁场下高纯硅的光热电离谱

首次用光热电离法测量了高纯硅在高达4T磁场下剩余杂质电子类氢能级的Zeeman 分裂.由于光热电离法具有高灵敏度与高分辨率的特点,因此能在低至 0.2T磁场下观察到谱线的Zeeman分裂.我们观察到了硅施主束缚态在磁场下的相互耦合现象,并对此作了定性分析.实验表明,光热电离法是研究半导体中浅杂质Zeeman效应的最理想的方法.     

具有高光学传输效率的FT—IR磁光光谱仪

采用一种新的设计方案,研制、组装成一套具有高光学传输效率的傅里叶变换红外磁光光谱测试系统。介绍了该系统的结构和特点,并给出了检验的结果和典型的磁光光谱。     

含Co半磁半导体中铁杂质的红外吸收光谱

本文首次报道半磁半导体Zn_(0.97)Co_(0.03)S和Zn_(0.95)Co_(0.05)Se中铁杂质的红外吸收光谱.对Zn_(0.97)Co_(0.03)S:Fe,实验发现了 ZnS中 Fe~(2+d)电子跃迁谱中未观察到的位于 2999.8cm~(-1)的新话线;对Zn_(0.95)Co_(0.05)Se:Fe,实验发现了ZnSe中Fe~(2+d)电子跃迁谱中未观察到的位于2778cm~(-1)的新话线.变温与磁光研究以及理论分析表明,新的吸收谱线起源于Fe~(2+)-Co~(2+)对Fe~(2+d)电子的A_1(~5E)、T_1(~5E)→T_2(~5T_2)跃迁.与d-d电子互作用相比,Co~(2+)引起的晶格畸变对Fe~(2+)跃迁的影响可忽略不计.     

灯光退火装置及其均匀性

设计制造了快速灯光退火装置,对灯光退火装置的退火均匀性作了理论计算,将灯光退火均匀性的计算结果与作者自行设计的装置所得的实验结果进行比较.结果表明,作者应用自己提出的计算方法设计制造的灯光通火装置各项指标都达到设计要求.此装置能快速、均匀、有效地对半导体中由于离子注入造成的晶格损伤进行退火,并能用于其他半导体热处理工艺.     

GaAs－Al_xGa_（1－x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应

在ＧａＡｓ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结中，我们观察到二维热电子的负磁阻效应，随着电场强度的增加，负磁阻效应增强，对我们的样品而言，Δσ／σ（０）的幅度可达２０％以上．一个简单的理论分析表明：实验结果能够被弱磁场中的电子能量弛豫率的增加导致二维热电子的磁冷却所解释．