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在直流电场作用下,硅单晶的反演对称性被破坏,从而诱导产生二阶非线性光学效应.主要研究了硅材料在外加直流电场作用下诱导产生的场致线性电光效应.以沿(111)面切割的近本征硅材料为样品,采用平行板电容器结构,通过横向电光调制实验,观测到在不同直流偏压下,电光信号随调制电压而线性增加,且直流偏压越大,电光信号增加的斜率越大....
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以沿[110]晶向切割的近本征硅单晶为样品,通过研究样品对连续波固体激光器所产生的1.3μm的近红外光的双光子吸收所诱导的光电流对入射光偏振方向的依赖关系,研究了双光子吸收的各向异性.测得了硅单晶对该波长的光的三阶极化率张量χ(3)的各向异性系数为-0.25,两个独立分量的比值χxxxx/χxxyy的幅度为2.4,并基于前期工作所得的χxxyy的结果,进而确定了另一分量χxxxx的值大约为1.49×10-19m2/V2.
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