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提出了一种利用普通光刻机获得亚微米、深亚微米刻蚀掩蔽图形的方法；二氧化硅膜过腐蚀法。利用该方法形成的掩蔽图形实现了扩磷昌硅的高度各向异笥反应离子刻蚀，并其慢机分析。 相似文献
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对ＣＭＯＳ电路中的ＥＳＤ损伤进行了研究，建立了ＥＳＤ灵敏度分类的测试，并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ＥＳＤ灵敏度的影响，提出了一种ＮＰＮ防ＥＳＤ结构，得到了ＥＳＤ失效阈值电压达２０００Ｖ以上的抗ＥＳＤ结构。 相似文献
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本文研究了ＣＭＯＳ电路中的Ｌａｔｃｈｕｐ效应．通过实验研究了ＣＭＯＳ电路不同版图尺寸和多种抗Ｌａｔｃｈｕｐ技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Ｌａｔｃｈｕｐｆｒｅｅ结构．本文同时使用ＰＩＳＣＥＳ对Ｌａｔｃｈｕｐ效应进行了二维模拟． 相似文献
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