THE BEHAVIORS OF 48keV Si IONS IMPLANTED INTO（100）GaAs

ＴＨＥＢＥＨＡＶＩＯＲＳＯＦ４８ｋｅＶＳｉＩＯＮＳＩＭＰＬＡＮＴＥＤＩＮＴＯ（１００）ＧａＡＳＬｉｕＨｕｉｚｈｅｎ（刘惠珍）；ＣａｏＤｅｘｉｎ（曹德新）；ＺｈｕＤｅｚｈａｎｇ（朱德彰）；ＺｈｕＦｕｙｉｎｇ（朱福英）ａｎｄＣａｏＪｉａｎｑｉｎｇ（曹建清...     

缓冲层对氮化镓二维生长的影响

报道了在射频等离子体（RF-Plasma)辅助的分子束外延（MBE）技术中，使用白宝石（0001）衬底，采用低温缓冲层工艺外延氮化镓（GaN)。通过原子力显微镜（AFM）的表面形貌比较及X射线双晶衍射（XRD）ω扫描摇摆曲线的分析，讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系，确立了缓冲层的三维成核，准二维生长的生长机理，并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长，进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。     

带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。     

用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延

用时间分辨反射率技术实时测量了Ｓｉ＋、Ａｓ＋注入单晶硅的固相外延生长速率和外延层厚度，并与背散射沟道方法测得的非晶层厚度进行了比较。介绍了测量原理，分析了实验结果．     

重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性

以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V·s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.     

超薄窗Si（Li）探测器在实验中的应用

用超薄窗Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量低能Ｘ射线，将传统的ＰＩＸＥ谱测量范围推广到如Ｓｉ、Ａｌ、Ｎａ等低原子序数元素。还对超薄窗Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的具体应用作了描述。     

离子注入对超高分子聚乙烯磨损性能的影响

用８０ｋｅＶ不同剂量的Ｃ３Ｈ＾＋８,Ｎ＾＋２对超高分子聚乙烯样品进行离子注入,通过反冲探测分析表明注入层Ｈ含量的变化,对样品表面在离子注入前后的磨损性能进行了测试。实验结果显示,离子注入以后样品表面氢含量减少,磨损性能增强。     

气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,以四溴化碳(CBr4)作为碳杂质源,系统研究了InP衬底上碳掺杂p型InGaAs材料的外延生长及其特性,在AsH3压力5.33×104Pa,生长温度500℃条件下获得了空穴浓度高达1×1020/cm3、室温迁移率为45cm2/Vs的重碳掺杂p型In0.53Ga0.47As材料。研究了CBr4和AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂InGaAs外延层组份、空穴浓度和迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析。     

氘轰击天然铁产生的反应激发函数

一、引言实验上测得的反应激发函数的形状及反应截面的绝对值为理论上研究和检验反应机制提供了重要依据,同时也为离子束分析技术及同位素制备等提供有用的数据。有关氘束轰击天然铁产生的反应激发函数数据极少,美国橡树岭国立实验室J.W.     

~(27)Al(d,αp)~(24)Na反应激发函数的测量

实验上测得的反应激发函数的形状及反应截面的绝对值,不仅有助于核反应机制的探讨,而且也为活化分析技术及同位素制备等提供有用的数据。 有关~(27)Al(d,αP)~(24)Na反应激发函数的测量数据已有若干报道,但数据之间的分歧较大。如Rohm等人(1969年)测得的截面数据与Batzel等人获得的结果相差57％,随着核仪器和测量的方法不断改善,有必要对已有的数据不断地进行更新测量。