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择优腐蚀、择优生长不仅在制备BH、CSP、DFB、DBR、ITG各种半导体激光器方面有着广泛的应用,而且它也是形成集成光路一个强有力的技术.本文报告在进行GaAs择优腐蚀和择优生长时所观察到的择优腐蚀和生长特性.我们采用(100)取向的n-GaAs片,光刻成 相似文献
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Large grain, low-dislocation, high-quality single crystals of various Pb-salt compounds have been grownreproducibly by the Horizontal Unseeded Vapor Growth (HUVG) technique. The Tunable Diode Lasers withbetter performance have been made with such crystals. The annealing feature, dislocations and diffusion in thecrystals have also been investigated. 相似文献
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我们用Nd:YAG锁模激光辐照硅,实现了光电子开关的“开”和“关”。开关结构见图1。硅薄片(~7000欧姆·厘米)上光刻微带,具体尺寸是:间隙d=0.34毫米,厚度h=0.43毫米,微带宽度W=0.34毫米。W和h尺寸的选取是使微带与传输电缆为50欧姆阻抗匹配。实验装置见图2。当开关一端加90伏直流偏压时,用0.53微米单脉冲照射,引起硅表面导电,通过传输线,在输出端测得电信号如图3,即完成开关的“开”。以后,用与0.53微米有一定光路延迟的1.06微米光随后照射。因为硅对1.06微米光吸收深,引起导电穿透硅片,形成电信号短 相似文献
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