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半导体中载流子的量子相位相干性、退相干和多体关联效应之间的相互影响 ,以及量子干涉的可控性是当前半导体物理研究的一个关注焦点。作者最近提出半导体超快光学过程中的一种退相干机制 :激子动力学Fano共振。这种动力学量子干涉可以用 THz交流场强控制。利用激子动力学 Fano共振效应 ,在半导体材料吸收光谱与瞬态光谱中可以观测到强 THz场下的激子稳化效应 ,即激子电离率随 THz场强增加而下降的现象。以此可实验验证有争议的原子绝热稳化问题 相似文献
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电子-声子耦合显著影响半导体量子点和单分子晶体管的非平衡输运.在非平衡格林函数运动方程方法的框架内,通过改进电声子解耦,发现低温下量子点谱函数中声子伴带明显依赖于两边电极费米能级与重整后局域能级的相对位置,呈现电子-空穴对称性破缺.Kondo峰的声子伴带分为两类,分别与由电子或空穴组成的多体自旋单态相对应.当局域能级存在Zeeman分裂时,两类不同起源的Kondo声子伴带在自旋分辨的谱函数中可以相互区分.谱函数的这些特性也体现在非线性微分电导谱中. 相似文献
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对于含氢量较高的 a-Si :H,H原子间相互作用尽管比Si-Si,Si-H键作用小一个量级,但不容忽视.在此前提下,本文采用 CBLM方法(即 Cluster-Bethe-Lattice Method)计算了a-Si:H的声子态密度.计算所用的集团模型有氢原子饱和的硅空位(HSV)、断键模型(BB)及带有若干悬键的HSv. 计算结果表明,H-H非键作用导致了沈学础等发现的213cm~(-1)“准局域模”的出现,并使拉伸模(2000cm~(-1))和摇摆模(630cm~(-1))移动和展宽.用相同方法计算a-Si:F、a-Ge:H及a-Si:D的振动谱,得到了相类似的效应. 相似文献
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<正> 近年来多量子阱的声子喇曼散射,在实验方面已有许多富有成果的工作。为了提供系统的理论基础,推动实验的进一步深入,我们系统地研究了多量子阱喇曼散射的微观理论。本文将介绍理论的部分内容,侧重说明理论基础和讨论区别于体材料最具特色的一些结果。 在微观理论中,最便于表征喇曼散射的是喇曼张量(以下具体讨论Stokes散射): 相似文献
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量子阱中光致热电子荧光的偏振和轻重空穴混合 总被引：1，自引：0，他引：1
本文在考虑量子阱中轻重空穴混合效应的理论基础上,导出线偏振激光激发的热电子荧光的偏振度.结果和B.P.Zakharchenya等及D.N.Mirlin等最近采用的,直接从三维体材料理论移植过来的公式有很大的不同.本文进一步导出,存在无规化准弹性散射和有外加垂直磁场时,引起的附加退偏振因子.根据理论和实验的比较,可以求获LO-声子非弹性散射及无规化准弹性散射的时间常数.以文献中发表的一项实验结果为例,具体给出两种散射的时间常数. 相似文献
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<正> 鉴于准二维激子在半导体多量子阱的光学过程中所起的决定性的作用,可以预期,在共振喇曼散射中,激子应是主要的中间态。但由于多量子阱电子结构、激子、声子的研究只是在近几年才有比较深入的理解,迄今尚无系统的喇曼散射的微观理论。本文将给出二维各向同性近似和电偶极近似下的多量子阱喇曼散射微观理论。 相似文献
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