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1.
用锁模激光辐照半导体,利用光电导效应,可以产生与光同步的短电脉冲,再用电脉冲驱动普克尔盒又可以获得同步的光脉冲.由于光电导和电光效应无抖动,并有极快的响应,所以,用这种方法获得的两束光之间的先后起伏,主要由辐照半导体的激光的强度和波形的不稳定而决定,同步精度可达微微秒.本实验是用0.53微米锁模激光控制的GaAs高速光电子开关,驱动行波普克尔盒来获得高精度同步的0.6328微米激光的调制讯号输出.  相似文献   
2.
报道一种新型的由GaAs光电子开关驱动的电光开关,GaAs块和KD~*P普克尔盒直接相连,成一体化结构,可以耐10kV直流电压,并具有从亚毫微秒到几百毫微秒连续可调的开门时间。为了体现GaAs光电子开关驱动KD~*P纵向普克尔盒的能力,我们用这种开关选单脉冲。一台主被动锁模的YAG激光器产生锁模序列,分出一束光作为被选的序列光,从其余部分中选出单脉冲并放大,作为GaAs开关的控制光,从舍弃光波形中看出,挖的深度接近1/2,  相似文献   
3.
我们用Nd:YAG锁模激光辐照硅,实现了光电子开关的“开”和“关”。开关结构见图1。硅薄片(~7000欧姆·厘米)上光刻微带,具体尺寸是:间隙d=0.34毫米,厚度h=0.43毫米,微带宽度W=0.34毫米。W和h尺寸的选取是使微带与传输电缆为50欧姆阻抗匹配。实验装置见图2。当开关一端加90伏直流偏压时,用0.53微米单脉冲照射,引起硅表面导电,通过传输线,在输出端测得电信号如图3,即完成开关的“开”。以后,用与0.53微米有一定光路延迟的1.06微米光随后照射。因为硅对1.06微米光吸收深,引起导电穿透硅片,形成电信号短  相似文献   
4.
朱鑫铭  范滇元  龚健 《中国激光》1986,13(7):421-423
实验测量了铁氧体传输线对高压电脉冲的前沿锐化效应以及偏置磁化电流对电压波波前传输速度的影响。用二个被铁氧体线锐化后的脉冲相减,获得宽度连续可调、8kV的ns脉冲,以此驱动普克尔盒对调Q激光脉冲削波。  相似文献   
5.
朱鑫铭  薛彬  范滇元 《中国激光》1983,10(6):374-376
本文报导由冷阴极闸流管产生高压脉冲的激光脉冲削波器。采用光电信号悬浮输入的雪崩管触发电路和脉冲预燃工作方式,成功地实现了对调Q激光脉冲的削波,获得前沿为1.8毫微秒、宽度可变的光脉冲。  相似文献   
6.
最近,Kobayaashi等报导了用短电脉冲激励半导体激光器获得了超短光脉冲输出.而用锁模超短脉冲激光器驱动的半导体光电子开关能产生超短同步电脉冲.这里介绍的是用激光驱动的超快速开关产生的短电脉冲激励半导体激光器,得到同步的变频超短光脉冲的结果.  相似文献   
7.
朱鑫铭  聂少峰 《中国激光》1985,12(11):691-692
自1978年起有人对非稳腔结构的Nd:YAG被动锁模进行了实验研究.采用非稳腔结构的锁模激光器有可能得到单脉冲能量比稳定腔大得多并接近衍射极限的超短光脉冲.  相似文献   
8.
利用高阻半导体在超短光脉冲作用下的光电导性可以获得超短电脉冲,这种光电器件的上升时间快,精度高,无抖动,可直接产生数千伏高压,在微微秒技术中有许多重要应用。 本实验中,利用一台被动锁模Nd:YAG激光器,经过单脉冲挑选,放大和倍频得到1.06微米和0.53微米的单个微微秒脉冲,脉冲的能量可以在10~(-7)到10~(-3)焦耳范围内变化,并用一台高灵敏硅光电池探测器来监测每个脉冲的能量,用Cr掺杂高阻GaAs材料做成微微秒光电子开关,用快响应示波器测量开关输出电脉冲的幅度和脉宽。  相似文献   
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