排序方式: 共有59条查询结果,搜索用时 343 毫秒
1.
引入激光回馈的双光束干涉效应的研究 总被引:4,自引:4,他引:0
提出了一种引入He-Ne激光回馈的双光束干涉系统,并在理论和实验两方面进行了研究。实验中对系统中的干涉信号及激光器尾光功率变化同时进行探测。发现当干涉仪的主回馈镜移动时,激光器尾光信号是正弦形波形,而干涉仪输出的是以双峰为一个周期的信号,双峰中一峰总是高于另一峰,并且当主回馈镜移动方向改变时,同一周期中两峰出现的顺序也随之改变。对实验现象进行了理论分析,并模拟出干涉信号及激光自身功率的变化曲线。理论分析及模拟结果与实验结果完全吻合。讨论了利用发现的现象进行测量的可行性,所提出的测量方法易于实现。 相似文献
2.
3.
当我们对人体组织这样的不透明,高散射介质进行透射照射时,时间选通技术被证明可以有助于测量不同空间位置介质的吸收率。用超快激光脉冲从物体一侧入射,并在另一侧测量出射的光脉冲,如果只探测出射时间最小的那部分光子能量,就可以获得对比度得以改善。的物体的像。有文章报道了以厚为35mm,内部含有直径为5mm吸收物体的样品为组织模型的时间分辨测量,并附带了自然条件下的人手数据。同时也探讨了乳房的可见光透视法。 相似文献
4.
采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器 总被引:4,自引:3,他引:1
提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点.该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程,当子位线宽度为128位时,位线漏电只有3.5μA左右,每位编程功耗为16.5μW,注入系数为4×10-4,编程速度可达20μs,存贮管的读电流可达60μA/μm以上.分裂位线结构和低编程电压使得该结构具有很好的抗位线串扰特性和可靠性. 相似文献
5.
6.
针对金卡工程中EEPROM单元的可靠性问题,本文给出了可以对其编程窗口进行测试和分析的测试系统的软、硬件描述。根据对测试结果的分析与讨论,得到了最佳的单元尺寸和编程条件。 相似文献
7.
在silicon-oxide-nitride-oxide-silicon(SONOS)等电荷俘获型不挥发存储器中,编程操作后注入电荷的分布会对器件的读取、擦写以及可靠性带来影响.利用电荷泵方法可以有效而准确地测量出注入电荷沿沟道方向的分布.为了提高测试精度,在进行电荷泵测试时,采用固定低电平与固定高电平相结合的方法,分别对SONOS器件源端和漏端进行注入电荷分布的测试.通过测试,最终获得SONOS存储器在沟道热电子注入编程后的电子分布.电子分布的峰值区域在漏端附近,分布宽度在50nm左右. 相似文献
8.
9.
10.