MBE法生长的调制掺杂GaAs／AlxGa1—xAs异质结构材料的输运特性研究

采用变磁场霍尔效应方法，在低磁场（B＜0．6T）和低温（T＝77K）条件下，了HEMT器件用调制掺杂GaAs/AlxCa1-xAs异质结构材料的输运特性，给出了材料电学参数（ρ、n和μ）与B的依赖关系，揭示了平行电导对材料质量的影响，并对上述依赖关系作了初步的定量分析。     

MBE法生长的调制掺杂GaAs／Al＿xGa＿（1－x）As异质结构材料的输运特性研究

采用变磁场霍尔效应方法，在低磁场（Ｂ＜０．６Ｔ）和低温（Ｔ＝７７Ｋ）条件下，研究了ＨＥＭＴ器件用调制掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ异质结构材料的输运特性。给出了材料电学参数（ρ、ｎ和μ）与Ｂ的依赖关系，揭示了平行电导对材料质量的影响，并对上述依赖关系作了初步的定量分析。     

GaAs阳极氧化及其在外延材料测试中的应用

<正>GaAs阳极氧化技术已日益广泛地应用于半导体工艺.这种氧化技术的关键是选择适当的电解质.选择电解质时要考虑如下要求:在相同的氧化条件下,电解质必须具有相同的化学和电学特性;氧化膜在空气中存放必须不改变其化学稳定性;在阳极氧化中,氧化膜的生长速度远大于溶解速度.实验证实,对于GaAs阳极氧化,选用3%的酒石酸溶液和乙二醇(其体积比为1:2,pH值为3)能满足上述要求.GaAs阳极氧化的本质是将GaAs片作为阳极,铂片作为阴极,一起浸入电解质中,氧化时,Ga和As生成带正电荷的离子,在外电场的作用下朝着氧化膜-电解质交界面的方向运动,并且在阳极与氧生成无定形的Ga_2O_3和As_2O_3混合物.     

2～3英寸半绝缘LEC GaAs单晶特性分布研究

本文叙述用Van der Pauw法和腐蚀法测量的2～3英寸半绝缘LEC-GaAs单晶的特性分布,即电阻率、霍尔迁移率、霍尔浓度和位错密度的纵向和横向分布。通过测试分析,揭示了原生晶体和经过整锭热处理晶体的特性分布规律,发现有的结果与国外报道的类似,有的结果至今未见报道;一些晶体经过热处理,均匀性有明显改善,但有的就变化不大。这表明,对于不同的原生晶体,可能需要采用不同的热处理条件,才能获得均匀的结果;另外,对所得结果进行了初步的分析和探讨,寻找了电学性质均匀性与晶体完整性的内在关系,为改善晶体的均匀性提供了有用的实验依据。     

1987年全国砷化镓及有关化合物会议

<正> 中国有色金属学会半导体材料学术委员会主办的一九八七年全国砷化镓及有关化合物会议,于1987年10月19日至24日在北京平谷县举行。到会代表近130人,会上交流论文共127篇。来自各工业部、科学院有关研究所、工厂与高等院校的代表聚会一堂,进行了论文报告、讨论和洽谈,气氛十分活跃。会议充分反映了自上届会议以来我国在GaAs及有关化合物材料方面的显著进展。 会议有八个特邀报告作为大会发言。特别是中国科学院学部委员林兰英先生的两个特邀报告受到与会代表的极大重视。在题为《微重力下从熔体生长GaAs单晶性质的研究》的第一个报告中介绍了在我国自制卫星上于微重力下研制GaAs单晶的工作,一次成功,并介绍了单晶的TEM,CL,DLTS等测试结果。在第二个报告《从化合物半导体器件、集成电路来展望     

调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究

报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high electron mobility transistors)器件,栅长0.4μm,在12GHz下噪声系数1.03dB,相关增益7.5dB。     

退火对LEC SI GaAs单晶性能的影响

本文报道了退火对非掺LEC SI GaAs晶片的电学性能和均匀性的影响。在850℃以上退火,晶片横截面上的平均迁移率由原生晶体的2.64×10~3cm~2/V·s提高到5.72×10`3cm~2/V·s,其中某些测量点达6.68×10~3cm~2/V·s,横向不均匀性由32％减少到6％,电阻率不均匀性由30％减少到10％。观察到晶片退火时间过长,性能反而下降。 基于上述实验结果,对退火改善晶体性能的机理进行了分析和讨论。     

掺Fe或同时掺Fe和Ga半绝缘InP的电学性质分析

本文采取理论计算与实验数据相拟合的方法,简明地图解了掺Fe或同时掺Fe和Ga的半绝缘InP的电学性质.当选取电子与空穴迁移率之比μ_n/μ_p(?)20时,两种材料的Hall迁移率μ_H都得到最佳拟合,与Rhee的结果一致.高温变温Hall数据表明,在迁移率与温度关系上,两种材料存在差异:掺Fe-InP的迁移率随温度升高而减小或基本不变,而同时掺Fe和Ga-InP的迁移率有随温度增加的趋势.     

LEC轻掺铬半绝缘GaAs单晶电学性质均匀性研究

近年来,LEC法高质量SI-GaAs单晶被广泛用作微波器件、光电器件、高速数字集成电路和光电集成电路的衬底。目前,待解决的问题之一是消除SI-GaAs晶片上制造集成电路时FET阀值电压的不均匀性。而要解决这一问题就要研究GaAs晶体电学性质的均匀性。本文用Vander Pauw法测定了轻掺铬SI-GaAs单晶体的电阻率、霍耳迁移率和载流子浓度的横向和纵向分布,用变