导致MLCC失效的常见微观机理

多层陶瓷电容器(MLCC)在实际使用过程中,电参数会发生不同程度的偏离,降低了可靠性,直到MLCC失效。其失效原因可分为外部因素和内在因素,分析讨论了影响MLCC可靠性的内在因素——MLCC内部分层、导电粒子、金属离子迁移和介电老化等常见微观失效机理,并提出了主要应对措施。     

多晶体硅太阳电池的PID效应研究

随着多晶硅太阳电池的广泛应用,电池组件的电势诱导衰减(PID)现象越来越引起大家的重视。本文介绍了多晶硅太阳PID现象产生的原因以及目前的解决途径。     

压电石英亚表面损伤层分析

压电石英基片在加工过程中会带来表面/亚表面损伤,这种损伤会直接影响电子器件的性能、稳定性及寿命。该文采用扫描电镜(SEM)观测与X-射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法,定量分析了36°AT切压电石英基片亚表面损伤层厚度,并探讨了亚表面损伤层的形成原因及对器件性能的影响。     

飞机发动机尾喷口调节片断口的电子显微分析

利用扫描电子显微镜及附带的能谱分析仪对飞机发动机尾喷口调节片断口进行了微观分析研究。结果表明:调节片边缘的损伤特征以磨损为主,而中部则以接触疲劳为主,疲劳裂纹易在微动区产生。根据上述结果讨论了促使疲劳裂纹萌生的因素,即循环应力和摩擦力引起材料表层塑性变形,以及磨损破坏了材料表面的完整性,造成裂纹尖端应力集中效应。     

掺杂MnZn功率铁氧体的电子显微研究

采用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对掺杂MnZn功率铁氧体断面进行了分析和表征.对比研究了各掺杂剂在微结构中的分布情况,并探论其在微结构形成过程中的作用及对电磁性能的影响.结果表明,掺杂剂在显微结构中的存在形式可分为四类:(1)掺杂剂进入晶格.其阳离子半径和电负性与Mn、Zn、Fe的离子半径相当,发生阳离子置换,如TiO2、CeO2等;(2)富集于晶界.掺杂剂阳离子半径较大,常偏析于晶界处,如CaO、Bi2O3等;(3)一部分进入晶格,一部分滞于晶界.如SnO2、V2O5、MoO3等;(4)掺杂剂与气孔伴生存在,偏聚于晶粒内部较浅的缩孔中,如Nb2O5、P2O5等.     

多层共烧元件界面研究的现状与展望

通过调研国内外多层陶瓷元件界面的研究现状,并结合自身工作,分析了在制备过程中多层陶瓷元件界面所存在的关键问题及其难点:共烧匹配性、扩散、结合性能等,提出了相应的控制措施,展望了其发展方向.并介绍了主导烧结曲线(MSC)、有限成分法(FEM)等相关的理论模型.这些都是有效控制界面品质,获得高性能多层陶瓷元件的关键.     

微波电路元件中InPbAg合金焊点失效分析

针对微波电路芯片焊接脱落问题,分析了InPbAg合金焊点的微观结构及成分,研究了InPbAg焊料芯片焊接的失效模式.找出了芯片脱落的主要原因:金膜表面污染、划痕、浸润不良、焊接气氛保护不足及应力导致焊点的结合强度不够致使芯片脱落.根据分析提出了改进意见,较好地解决了InPbAg合金焊接芯片脱落问题,支撑了微波电路的生产工艺.