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超高真空分离规的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍我们研制的超高真空分离规的初步结果。给出分离规的结构、工作状态、压强范围和灵敏度。在全压强范围,分别利用大圆筒电离计、BA计和分离规进行对比,说明分离规的读数是可靠的,发现分离规在高压强时收集极电流有饱和现象并加以说明,发现BA计在10~(-8)托(空气)量程就已出现电子诱导栅极离子解吸现象。在0.3×10~(-11)托的极限真空下,改变栅灯电压测收集极电流,用对数直线外延法确定分离规的x射线光电流本底,它为1×10~(-12)托,讨论了这种方法的可行性。最后提出进一步提高分离规灵敏度的一种措施。 相似文献
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一、前言 随着硅片尺寸的增大和器件集成度的提高,高质量的绝缘膜对提高器件的成品率有很大的影响。利用等离子增强化学法气相淀积技术(PECVD)生长的等离子氧化膜,能较好地满足器件所要求的各种淀积特性。其反应气可采用硅烷SiH4和笑气N2O0大量氧气和水的存在,对CVD氧化膜的质量有很大的影响。硅烷遇氧气或水就生成无定形白色粉末状的二氧化硅: 相似文献
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