一种抑制关态漏电流和提高亮度稳定性的OLED微显示像素电路研究

OLED微显示像素驱动电路中,由于较小的存储电容和开关MOS管关态漏电流的影响,导致其存储电压和亮度不稳定.通过分析影响关态漏电流的主要因素,提出了一种多开关管串联和存储电容拆分相结合的办法以减小关态漏电流,并设计了一种含有两个开关管和两个存储电容的像素电路,该电路将关态漏电流由大于3 pA减小为0.4pA,存储电压和亮度稳定性得到了很大的改善,小亮度时一帧的亮度变化仅为0.18 cd/m2.电路可实现的最小OLED驱动电流为25 pA,像素亮度范围为1.82～217.37 cd/m2.     

有机高亮度黄光发光二极管

用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件,在19V下器件亮度可达40000cd/m2,外量子效率达3。4％。     

基于Verilog HDL语言的CAN总线控制器设计及验证

在此利用Verilog HDL设计了一款CAN总线控制器,首先根据协议把整个CAN总线控制器划分为接口逻辑管理、寄存器逻辑和CAN核心模块3个模块,然后用Verilog HDL硬件描述语言设计了各个功能模块,并使用Modelsim软件对各个模块的功能进行了仿真,最后使用FPGA芯片对设计的CAN总线控制器验证,并连接了一个包含该FPGA CAN总线控制器的4节点CAN总线网络。测试结果表明所设计的CAN总线控制器能够完成设定的功能。     

有机高亮度黄光发光二极管

用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件,在１９Ｖ下器件亮度可达４００００ｃｄ／ｍ２,外量子效率达３．４％．     

一种驱动MOS管工作在饱和区的硅基OLED微显示像素电路

硅基OLED微显示中为了在极小的像素面积内实现微小的OLED工作电流,其像素驱动电路的驱动MOS管一般工作在亚阈值区,存在OLED电流对驱动MOS管的阈值电压和栅源电压失配敏感、外围电路复杂等问题,如果驱动MOS管工作在饱和区则可避免这些问题,但为了获得微小的驱动电流,必须采用尺寸大的倒比MOS管,这又与极小的像素面积冲突。本文提出了一种采用脉宽调制(PWM)技术、驱动MOS管工作在饱和区的OLED微显示像素驱动电路,PWM信号减少了一帧内OLED的实际工作时间,OLED的脉冲电流变大,使驱动MOS倒比管的尺寸减小;由于PWM信号占空比小,同时实现了OLED微小的平均像素驱动电流和亮度。结果表明PWM信号占空比为3%时,实现的OLED驱动电流和像素亮度范围分别为27pA~2.635nA、2.19~225.1cd/m~2,同时采用双像素版图共用技术,在15μm×15μm的像素面积内实现了像素驱动电路的版图设计。     

准分子激光相位掩模法制备大晶粒尺寸多晶硅薄膜

为扩大晶粒尺寸并降低晶粒间界缺陷对多晶硅薄膜晶体管的不良影响,采用准分子激光相位掩模法制备了大晶粒尺寸的多晶硅薄膜。首先,在无相位掩模时利用不同能量密度的准分子激光晶化非晶硅薄膜,通过扫描电镜观测晶粒尺寸确定超级横向生长的能量窗口;然后,在该能量密度下采用周期为1 073 nm的相位掩模板对入射光束进行相位调制,在样品表面形成人工可控的横向温度梯度,使非晶硅熔化并横向生长结晶为多晶硅;最后,对薄膜特性进行测量,并与非晶硅薄膜和超级横向生长制备的多晶硅薄膜进行比较。结果表明:本文方法制作的薄膜的平均晶粒尺寸提高了一个数量级,达到了228.24 nm;薄膜电阻率降低一个数量级,为18.9 Ω·m;且晶粒分布规则有序。该方法能有效提高多晶硅薄膜的电学特性,适用于高质量多晶硅薄膜器件的制作。     

双层电极有机电致发光器件

主要讨论了在有机双层电致发光器件 Ｉ Ｔ Ｏ／ Ｔ Ｐ Ｄ／ Ａｌｑ３／ Ａｌ 的 Ａｌｑ３／ Ａｌ 界面处引入绝缘材料 Ａｌ２ Ｏ３ 薄层对器件性能的影响。实验发现具有双层电极 Ａｌ２ Ｏ３／ Ａｌ 的器件发光效率比单层电极 Ａｌ 的器件效率提高了六倍多,这是由于 Ａｌ２ Ｏ３ 薄层的引入,降低了界面的表面态密度,提高电子的注入能力,有效地提高了激子的辐射复合几率所致     

有机薄膜发光二极管失效过程的动态观察和分析

本文报道了利用带有ＣＣＤ摄像机的显微镜对由常用有机材料ＴＰＤ和Ａｌｑ３制备的有机薄膜发光二极管（ＯＬＥＤ）ＩＴＯ／ＴＰＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ及ＩＴＯ／ＴＰＤ／Ａｌｑ３;Ｒｕｂ／Ａｌｑ３／Ａｌ失效过程的动态观察,对于造成器件失效的主要原因－黑斑的产生和变化进行了描述和分析。     

一款CAN总线收发器芯片的电路设计

文中完成一款应用于CAN总线的收发器芯片的电路设计.重点阐述了该收发器芯片的功能框图及其工作原理,特别是接收模块和过压保护的设计.该电路采用5V电源,驱动总线负载为R=60Ω、C=200pF.仿真结果表明该电路工作时的平均电流为35.7mA,电路总的延迟时间为160ns,具有较好的过压保护功能,可应用于高速CAN总线通讯中.     

柔性衬底黄光有机小分子电致发光器件

彩溅射技术在透明的塑性材料聚对苯二甲酸乙二酯（ＰＥＴ）薄膜之上形成一层ＩＴＯ导电膜,并对此替代常用的玻璃衬底制备了黄光柔性衬底有机小分子电致发光器件的结构为ＰＥＴ／ＩＴＯ／Ａ１ｑ３：Ｒｕｂ／Ａ１ｑ３／Ａ１。器件在１４Ｖ时亮度为１２０ｃｄ／ｍ＾２,并且器件在弯曲较大角度时仍然能正常使用,达到了使用柔性衬底的目的。