高阻p型硅大面积四象限探测器的研制

采用PIN结构,研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明,器件响应度达到0.45A/W（λ=1.06μm）,暗电流小于50nA（Vr=135V）,象限间串扰低于2.5%。     

2048位线阵电荷耦合光电二极管摄象器件的研究

本文简要地阐述了2048位线阵电荷耦合光电二极管摄象器件(CCPD)的工作原理及器件的结构、制作特点,同时对一些主要的参数进行了研究、讨论。采用浅结低浓度的光电二极管阵列作为电荷耦合摄象器件的光敏元,取代了原来CCD器件的MOS光敏元,使光子在到达硅衬底之前减少了多层介质的光吸收和反射,大大地捷高了器件的蓝光响应,利用双重吸杂技术,使暗电流下降,器件性能明显提高。     

提高无人值守变电站的安全管理和运行可靠性

随着变电站综合自动化水平的不断提高,越来越多的高科技、新技术大量运用到无人值守变电站,极大地提高了电网运行的自动化水平,提高了抵御自然灾害和异常事故的能力和对用户的供电可靠性。但在安全运行管理中还存在着薄弱环节值得探讨。     

512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器

研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40％。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。     

4096位线阵CCPD摄像器件

采用双线型三相埋沟结构，设计并研制成功４０９６位线阵ＣＣＰＤ摄像器件。器件动态范围达６００：１，暗电流密度为１０ｎＡ／ｃｍ￣２。文章阐述了该器件的工作原理、结构设计和制作工艺。     

1024位CCD模拟延迟线的研制

本文介绍了我所研制的1024位CCD模拟延迟线的基本原理和结构设计,着重讨论了器件参数及提高器件参数的途径。     

小粒晶ZSM-5分子筛的合成及其影响因素研究

小晶粒ZSM-5分子筛与微米ZSM-5分子筛相比,具有较大的外表面积和较高的晶内扩散速率,在提高催化剂的利用率和选择性、增强大分子的转化能力、减少深度反应以及降低结焦失活等方面表现出优越的性能.采用两种不同的模板剂,探索ZSM-5分子筛的制备参数,合成出小晶粒的ZSM-5分子筛并通过XR、SEM及激光粒度分析法对其进行表征,并考察了ZSM-5分子筛合成及晶粒大小的影响因素.结果表明:较为合适的合成条件为晶化时间96 h.晶化温度170℃、碱度0.13、n(NaCl)/n (Al2O3)=15、CTAB用量0.5CMC、晶化方式为搅拌晶化,在上述条件下合成的ZSM-5分子筛的晶粒大小为400～900 nn.     

氦诱生微孔对硅二极管漏电流特性的改善

高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔。以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标，研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响。在适当的热处理温度和冷却条件下，观测到二极管反向漏电流的显著改善，部分样品漏电流可降低3个数量级。     

三相多晶硅交迭栅埋沟CCD器件

本文对已研制成的线阵三相多晶硅交迭栅埋沟CCD(BCCD)摄象器件的结构、原理及实验、结果做一个简要的阐述.器件的结构采用双列式独立输出,光敏元区采用n~+-n~--p结构,埋层由注入磷离子来实现.测试结果:器件的转移效率>99.999%.     

CCD拼接技术研究

为满足一些特殊领域对高位数线阵CCD的需要,我们用两个线阵2048位单列CCPD进行拼接,构成了4096位CCPD。用于拼接的2048位CCPD是采用埋沟三相三层多晶硅交迭栅埋沟结构。分析研究了器件的几何结构和性能参数。测试表明:器件光谱响应范围0.4～1.1μm,转移效率大于或等于99.99％,非均匀性小于或等于±8％。最后,对拼接CCD的实际意义进行了评述。