SPC参数控制限和规范限的定义

介绍了定义SPC控制限和规范限的一套方法.在多品种小批量的化合物半导体前道工艺线推行SPC的过程中,针对不同参数的性质不同,分别总结出了三种不同的定义方法,从而对前道工艺流程的全部参数实行了SPC监控,并在实际的控制中证明该方法是有效的.该方法解决了困扰SPC使用者如何定义控制限和规范限的难题,尤其对于刚开始推行SPC的生产线有借鉴意义.     

一种提升电路板键合可靠性的前处理方法

为解决微波组件生产过程中多次使用钎焊与胶粘工艺,带来的助焊剂氧化残留、导电胶油剂沾污镀金焊盘和电路板加工生产过程引入的油墨沾污镀金焊盘等问题。对键合焊盘的前处理方法进行研究,提出一种激光微刻蚀键合焊盘的前处理方法,对电路板键合界面进行100%激光微刻蚀处理,使得键合界面“归一化”,提升键合焊点质量。彻底消除由于键合界面清理不彻底,导致虚焊、脱焊、键合强度偏低的现象,确保引线键合的可靠性,以期为微波组件生产工艺人员解决键合界面沾污问题提供参考。     

半导体工艺线CAM及SPC的应用

探讨了在多品种小批量半导体工艺生产线上开发应用CAM技术及实现SPC控制的方法。作者及同事开发了适用于所在工艺线特点的CAM软件系统程序——WI系统,用于工艺的指导和记录、生产的安排和监控以及数据的记录和提取。利用SPC方法对由WI提取的数据进行统计分析处理,做出控制图,对各种工艺异常进行分析判断进而做出工艺调整,以实现有效的工艺监控,逐步提高工艺加工能力和稳定性。该生产控制方法的应用为工艺线产品的研制和生产提供了有力保证。     

SiN钝化对W波段AlGaN/GaN HEMT射频性能的影响

在SiC衬底上制备了栅长为110 nm、漏源间距为2μm的W波段AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT),分析了SiN钝化对器件直流和射频特性的影响.研究发现:100 nm SiN钝化可显著提升器件的漏源饱和电流及峰值跨导,漏源饱和电流从1.27 A/mm增加至1.45 A/mm (Vgs=1 V),器件峰值跨导从300 mS/mm提升至370 mS/mm,这是由于SiN钝化显著提高了AlGaN/GaN异质结材料沟道电子浓度.此外,SiN钝化可有效抑制器件电流崩塌,显著改善器件直流回扫特性.然而,由于沟道电子浓度增大,钝化后器件中短沟效应增强,器件夹断特性变差.此外,SiN钝化后W波段AlGaN/GaN HEMTs的射频特性得到显著改善,器件的电流增益截止频率从钝化前的33 GHz提升至107 GHz,最高振荡频率从钝化前的65 GHz提升至156 GHz.     

扫描电子显微镜在栅光刻工艺中的应用

阐述了扫描电子显微镜在解决栅光刻在线监测中遇到的问题和解决过程。在充分的理论分析基础上,通过大量实验研究,克服了光刻胶在高能电子辐照下变形、变性的问题;削弱了光刻胶样品表面荷电对图像质量的影响;在观测"T"型栅的胶窗口时采用特殊的工作条件获得了三层胶的立体形貌图像,从而能够观察三层胶的内部结构。上述问题的解决和技术的改进实现了栅光刻工艺的在线监测;并为栅光刻工艺的稳定和改进、产品成品率的提高提供了大量数据和图像。