排序方式： 共有9条查询结果，搜索用时 15 毫秒
1
1.
本文着重论述了Cd扩散在InGaAsP/InP双异质结激光器(DH-LD)和雪崩光电二极管(APD)中的应用以及Cd扩散的特性。 相似文献
2.
本文研究了重掺Zn表面发射InGaAs P/In PDHLED的脉冲响应特性。实现了1.6Gbit/s NRZ(非归零)调制。探讨了在Gbit/s传输系统中使用表面发射LED可行性。 相似文献
3.
本文报导了1.3μmInGaAsP/InP双异质结侧面发光二极管的制备及器件特性。该器件在150mA直流工作电流下,输出功率大于1mW,尾纤输出功率大于30μW,最大可达56μW,调制带宽大于90MHz,加速老化实验外推的工作寿命大于10~4小时。 相似文献
4.
本文着重研究了Cd在InP和InGaAsP中的低温(550～570℃)扩散。扩散源是由CdP:和Cd、P组成。采用这种方法对InP和InGaAsP进行Cd扩散,载流子浓度N≥10_(18)cm~(-3)。通过调整扩散源中的P量可以控制扩散深度。并能形成一个陡的扩散浅前沿(shallow front)。从实验上获得了结深X与扩散温度T(包括T_0)和扩散时间t的依赖关系;表面浓度Cs-1/T的关系;以及扩散层中的纵向载流子分布。另外,还讨论了温度梯度(TGI)对扩散深度X的影响以及扩散过程中出现的异常现家。 相似文献
5.
为研制具有沟道衬底的单模激光器,讨论了H_2SO_4—H_2O_2一H_2O系对。GaAs衬底的择优腐蚀。分别对不同组分的腐蚀剂和温度进行了比较,实验得到在低浓度H_2SO_4溶液中腐蚀GaAs衬底获得了平底槽,在高浓度H_2SO_4溶液中获得了非平底槽。在GaAs(100)面上沿[011]和[011]方向开槽分别获得了倒台型和V形槽衬底。满足了器件设计的要求。 相似文献
6.
本文提出并证明了一种新型的双异质平凸波导InGaAsP/InP电一光定向耦合调制器/开关。这种调制器/开关适合于单片集成光学。所制造的器件在1.3μm波长下具有低的光损耗(4dB/cm)和高的调制带宽(1GHz)。 相似文献
7.
本文着重讨论了用Br_2:C_2H_5OH腐蚀液对InP和InGaAsP的化学腐蚀行为。用检查腐蚀表面、腐蚀截面图和腐蚀速度的方法,对几种InP和InGaAsP常用的腐蚀液进行了实验比较。结果表明:Br_2:C_2H_2OH腐蚀液的腐蚀行为是最令人满意的,它腐蚀速度快,所腐蚀的表面平整,光亮。这种腐蚀液对InP和InGaAsP具有几乎相同的腐蚀速度。在(100)表面沿[110]和[110]方向上分别得到了正台形和倒台型结构的截面图。该腐蚀液几乎不破坏正型光刻胶(AZ1350)和负型光刻胶(OMR83)。因此它是制作InP和InGaAsP器件较适合的腐蚀液。同时从结晶学的角度对产生正台型和倒台型这种独特结构的原因进行了讨论。 相似文献
8.
9.
1