鹤山：中宇进驻址山工业园

3月18日，中宇卫浴股份有限公司在鹤山市址山镇址山工业园举行了开工奠基仪式。     

一种应用于DC/DC转换器的自举电路设计

设计了一种适用于DC/DC转换器的自举升压电路.采用该电路可将功率PMOS管替换为NMOS管.在相同尺寸条件下,NMOS管具有较小的导通电阻,从而提高DC/DC转换器的效率.电路基于华宏NEC的0.35 μm BCD工艺,利用Cadence中的Spectre进行了验证.并给出了该自举电路的设计思想、电路的工作原理,以及自举电容最小值的计算.当电源电压降至1.4 V,电路仍能保持正常工作.当自举电容为10 nF,电源电压为5 V,工作频率可高达2 MHz.     

PWM DC-DC变换器中过流保护的失效分析

原创性地提出并分析了PWM DC-DC过流保护失效.从理论上证明了过流保护回路的延时会造成过流保护失效.同时给出了避免失效的优化方案.通过降低电路的工作频率,可以实现过流保护电路关断及时,可靠性得到提高.电路在CSMC 1.5 μm BiCMOS工艺,BSIM3V3模型下,采用Cadence中的Spectre仿真工具进行仿真.当输入电源电压为11 V,输出电压在5 V时,最大电流限制在3.5 A以下,过流保护电路工作稳定可靠.     

一种用于CMOS A/D转换器的带隙基准电压源

设计了一种用于CMoS A/D转换器的带隙基准电压源.该电路消除了传统带隙基准电压源中运算放大器的失调电压及电源电压抑制比对基准源指标的限制,具有很高的精度和较好的电源电压抑制比.电路采用中芯国际(SMIC)0.35μm CMOS N阱工艺.HSPICE仿真结果表明,在3.3 V条件下,在-40℃～125℃范围内,带隙基准电压源的温度系数为2.4×10-6V/℃,电源电压抑制比为88 dB@1 kHz,功耗为0.12 mW.