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1.
标准CMOS工艺低压栅控硅发光器件设计与制备
吴克军
李则鹏
张宁
朱坤峰
易波
赵建明
徐开凯
《电子学报》
2021,49(5):1013-1018
本文采用0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的低压栅控硅基发光器件.该光源器件内部采用n+-p+-p+-n+-p+-p+-n+的叉指结构,在相邻两个p+有源区之间覆盖多晶硅栅作为第三端控制电极,用于在源/漏区边缘形成场诱导结,降低p+/n-well结的反向击穿电压,提高器件发光功率.测试结果表明,该光...
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