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S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究 总被引:2,自引:1,他引:1
前已发现,将GaAs(100)晶片浸入S2Cl2或S2Cl2+CCl4溶液是实现GaAs表面钝化的一种有效途径.用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量S2p芯能级谱,从而揭示,在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物.AsxSy是其中的主要成分,但轻度退火就能去除.随着退火过程中S原子从As-S转移到Ga-S,Ga3d谱中始终出现两个与Ga-S相关的分量,表明稳定的钝化同表面Ga-S键的存在联系在一起 相似文献
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首次建成了国产反光电子谱仪的自动化数据采集及处理系统。整个测量装置由Apple Ⅱ微机、计数器、PIO 和A/D、D/A 卡等电路组成。 相似文献
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