荆门热电厂4号炉高温再热器超温控制

分析了荆门热电厂4号炉高温再热器超温的原因，提出了减缓超温程度的措施，并取得了较好的成效。     

防火涂料热降解的测试研究技术

介绍了防火涂料热降解的测试研究技术,并举例说明了这些技术在研究防火涂料热降解过程及机理中的作用,评述了各种测试研究技术的特点,说明采用多种测试技术联用是分析防火涂料热降解的方向。     

来自汉代的本土浪漫主义的酣歌 ——对郑州新通桥画像砖夸张与变形艺术风格的赏析

郑州新通桥画像砖以夸张变形为主要艺术手段。砖面上一个个看似粗朴、草率的形象,细赏之,却都是界于"似与不似之间"的形象妙品。这一个个灵力四射的艺术形象,似一首首别具风格的浪漫主义"酣歌",演绎出来自汉代的视觉艺术的"组曲",至今依然能感染和震憾人们的灵魂。     

基于DCT的遥感图像融合*

将DCT应用于遥感图像中全色光学图像和多光谱图像的融合上。首先,对配准的两幅图像做DCT变换;在变换域内,通过灵活的选择全色光学图像的高频部分和多光谱图像的低频部分掺入,实现对融合结果的灵活控制。并分析了将清晰度作为判断最佳融合结果的标准。     

奥地利泰森塑料挤出机温控系统的PID实用技术

介绍奥地利泰森塑料挤出机各种筒和模具的温控系统中PID实用算法结构和在机器使用中的参数整定方案。     

炸药沉积蒸发源的结构分析

应用真空镀膜技术制作出的爆炸网络其密度比较均匀,膜层的厚度比较容易控制;选择适当的工艺参数,能够制得精度很高的小尺寸产品;蒸发源的结构对镀膜层的均匀性有很大的影响。     

硅系延期药贮存与硅粉表面稳定性研究

通过对硅系延期药贮存规律的分析，并利用ESCA对不同条件下的硅粉表面氧化膜进行研究，得出了硅系延期药贮存秒量漂移的根本原因是延期药中的可燃剂与氧化剂在贮存过程中生成氧化膜，使延期时间增长。通过调整硅粉研磨时间，提高了延期药延期精度，采取高温加速老化延期药方法，促使可燃剂与氧化剂接触界面扩散动态平衡，提高了硅系延期药延期精度与贮存稳定性。     

自适应随机搜索算法在河网数学模型糙率反演中的应用

介绍自适应随机搜索(ARS)算法的基本原理,并以泰州市河网为例,测试了ARS算法在资料受限条件下河网模型糙率反演的表现。结果表明,ASR算法能够自动优选出河网大多数河段的糙率值,得到较好的水位流量拟合效果。     

透水混凝土制备工艺研究

透水混凝土的制备工艺和养护工艺是影响硬化后混凝土性能的关键影响因素。文章介绍了采用不同的搅拌工艺、成型方法和养护方式制备、养护透水混凝土,并研究搅拌工艺、成型方法和养护方式对透水性能和抗压强度的影响,试验结果表明:上述因素均对透水混凝土抗压强度有较大的影响,养护方式的不同对透水性能影响较小。     

Effect of Substrate Surface Roughness on Properties of Ni-Cr Alloy Thin Film

The effect of surface roughness of aluminum oxide (95%) substrate on the properties of Ni-Cr alloy thin film is studied.The thin films are prepared on the substrates with different roughness by using magnetron sputtering.The micro-structure,adhesive and electrical properties of the thin films were investigated by using scanning electron microscopy,scratch method and four-probe method.The burst voltage and current of the thin film transducers with different substrates were measured according to D-optimization method.The results show that the particle size,structural defect,resistivity and adhesion strength of the thin film increase with the increase of the substrate roughness.The difference among the burst time of the samples with difference substrate roughness gradually decreases with the increase of stimulation amount.The burst time is approximate to 20 μs in the charging voltage of 37 V.