排序方式: 共有19条查询结果,搜索用时 12 毫秒
1.
文章选用80Au20Sn焊料对微波GaAs功率芯片的焊接技术进行了较为系统深入的研究,通过对共晶焊接设备与真空烧结设备分别对焊接时气体保护、焊片大小、真空工艺过程的施加和夹具设计等因素进行了试验分析。结果表明,以上参数对微波GaAs功率芯片焊接均有显著的影响,在保护气体流量为1.5L·min^-1的氮气保护下,通过施加适当的夹具静压力和金锡焊料熔化时的抽真空应用,AuSn焊料能够充分和快速润湿,实现较高的焊接质量。X射线检测结果表明,微波GaAs功率芯片焊接具有较低的空洞率,焊透率高达90%以上,焊接过程主要通过夹具装配完成,人为影响因素少,成品率高。 相似文献
2.
3.
三维集成垂直互联技术是实现电子信息系统小型化、轻量化、高密度集成的关键技术,文中将金凸点超声热压技术应用到三维集成多层转接板堆叠工艺中,采用自动侧向剪裁工艺和预整平工艺制备一致性极高的金球微凸点阵列,通过设置合理的超声振幅、压力和温度参数,并优化匹配超声曲线和压力曲线的作用时序,实现硅转接板自底向上高精度、高可靠堆叠,解决超声热压焊接易发生对位焊接偏差、焊点滑移的问题.基于金凸点超声热压技术的三维集成垂直互联技术拥有低温互联、高温使用的优势,避免了多层堆叠时复杂的温度梯度考虑,并可应对多种类型的焊盘体系,无需制备专用凸点下金属(UBM)层,在三维集成系统级封装技术中具有广阔的应用前景. 相似文献
4.
文中采用Au80Sn20共晶焊料对GaAs功率芯片与MoCu基板进行焊接,分析了焊接温度、摩擦次数等工艺参数对共晶焊接的影响,给出了GaAs芯片共晶焊的工艺参数控制要求,通过扫描电镜及能谱仪分析接头的显微组织、元素分布,通过X射线检测仪测定接头的孔洞率,研究GaAs芯片背面和MoCu基板表面的镀层与焊料之间的相互作用以及焊缝的凝固过程.GaAs芯片背面的Au层部分溶解在AuSn焊料中,MoCu基板表面的Au层完全溶解在AuSn焊料中,焊缝与Ni层结合,焊缝由靠近两侧母材的ξ-Au5Sn金属间化合物层和中间的Au-Sn共晶组织组成. 相似文献
5.
介绍了多芯片子系统壳体的技术要求,采用不同的Al-Si复合材料加工成统一结构,进行激光焊接,并对焊件进行检漏,研究了Al-Si复合材料的特性.结果表明,随着Si元素含量增加,从Al-40Si到Al-50Si,Al-60Si复合材料,焊缝氦泄漏率逐渐增大,即焊缝密封性逐渐降低;烧结密度是影响焊缝气密性最主要的因素,随着烧结密度增大,焊缝气密性迅速提高;随着粉末粒度增大,复合材料的焊缝氦泄漏率缓慢增大,即焊缝气密性缓慢降低,用5μm粉末为原料进行热压烧结,制得Al-50Si复合材料的密度高达99.6%TD,焊缝氦泄漏率为0.98×10-9 Pa·m3/s,满足了多芯片子系统壳体气密封装要求. 相似文献
6.
7.
本文介绍一种实用的传感器微弱信号低噪声斩波放大器.它由精密绝对值(整流)电路、电斩波放大电路和低通滤波电路三部分组成,适用于传感器或经一级前放输出的微弱波动信号需直观地由其直流电压正幅值来反映其变化的场合.输入信号即使只有几十微伏或几百微伏此放大器都能正常工作,而且在红外测温判别产品质量方面应用效果良好,获得了激光加热工件时靶点温升温降的红外热谱曲线. 相似文献
8.
9.
10.