MoSi_2硅化物的形成及电子结构的研究

利用XPS、UPS、AES、X-光衍射和拉曼散射等技术,研究了在稳态热退火条件下共溅射的Mo-Si合金膜,硅化物的形成及电子结构特性.     

Pt/Si界面化学键性质的研究

在超高真空系统中,超薄层 Pt淀积膜原位蒸发在原子清洁的 Si(111)表面上形成 Pt/Si界面.利用光电子谱技术(XPS和UPS)研究了Pt/Si 界面的化学性质.测量了Si2p和Pt 4f芯能级和价带电子态,并着重研究这些芯能级及电子态在低覆盖度时的变化.由 Si(2p)峰的强度随 Pt 覆盖度的变化可以清楚证明:在 300 K下淀积亚单原子层至数个单原子层 Pt的 Pt/Si(111)界面发生强烈混合作用,其原子组伤是缓变的.由于Si原子周围的 Pt原子数不断增加,所以 Pt 4f芯能级化学位移随 Pt原子覆盖度的增加而逐步减小,而Si 2p芯能级化学位移则逐步增大.同时,Pt 4f峰的线形也产生明显变化,对称性增加;Si 2p峰的线形则对称性降低.淀积亚单原子层至数单原子层Pt的UPS谱,主要显示两个峰:-4.2eV(A峰),-6.0eV(B峰).A峰随着覆盖度的增加移向费米能边,而B峰则保持不变.这说明Ptd-Sip键合不受周围Pt原子增加的影响.利用Pt/Si界面Pt原子向Si原子的间隙扩散模型讨论了所观察到的结果.     

铬硅化物的形成及其界面反应

利用AES,XRD,UPS,XPS等技术研究了(0-1000A)Cr-Si(111),(100)系统在不同真空条件,不同温度热处理和不同Si表面状态下,铬硅化物的形成及其界面反应演化问题。在一定条件下,铬硅化物的形成规律为:Cr/Si→CrSi_2→CrSi,其中CrSi_2是一个亚稳相。Cr-Si界面在室温下的反应演化过程是:金属Cr/富Cr相(2—4A)/Cr-Si互混相(～10A)/富Si相(～2A)/Si。Cr-Si界面只有加热后才能形成确定化学配比的硅化物。形成各种硅化物的条件除与退火温度,真空条件有关外,还与覆盖度θ,硅表面状态和热处理时间有关。对于Cr—Si界面及铬硅化物的电子性质也进行了讨论。     

一种高性能CMOS晶体振荡电路的设计

本文对晶体振荡器的线性和非线性理论给出一般性的理论描述。它建立在高Q值的谐振电路基础上。常见的是三点振荡器，包括Pierce振荡器以及单端口振荡器。通过对电路的阻抗进行根轨迹分析，则能更清晰地了解电路的非线性性能。通过无损耗假设，可得到起振的基本条件以及频率牵引度、临界阻抗及启动时间等表达式。作为在RF设计中的一个应用电路，本文给出一种应用在接收器芯片中的高性能CMOS晶体振荡器设计，该芯片用0．25μm CMOS工艺实现，仿真结果与系统要求一致。     

中频限幅器设计

本文首先简要介绍了带有接收信号强度指示器（RSSI)的限幅器（limiter)工作原理，基于TSMC25 CMOS工艺，详细阐述了一个工作频率为3．84MHz，增益大于80dB的低噪声限幅器的设计，并给出了仿真结果。     

Ti/Si和Ti/O/Si界面相互作用的研究

本文利用XPS、UPS和AES等分析技术,对不同清洁处理的Ti/Si(111)界面进行了研究.在超高真空(～4 × 10~(-10)mbar)中,高纯Ti(99.99％)淀积在Si(111)表面上.Ti/S界面产生相互作用.Ti2p和Si2p芯能级产生化学位移,利用电子组态变化的观点解释了所观测到的化学位移.具有氧玷污的Ti 蒸发源,淀积在Si(111)表面上,没有观察到界面相互作用.如果在Si(111)表面存在极薄的氧化层,则在界面处首先形成 Ti的氧化物.文中讨论了氧玷污对界面互作用的影响.     

Ti/Si和Ti/SiO_2/Si系统硅化物的形成

用AES、XPS、RBS和X射线衍射等技术研究了在稳态热退火和激光退火条件下,Ti/Si和 Ti/SiO_2/Si系统硅化物的形成.在 500—600℃稳态热退火条件下,Ti/Si系统形成 Ti_5Si_3、TiSi和 TiSi_2三种硅化物;高于 650℃,只存在TiSi_2.TiSi_2的生长服从 △x∝t~(1/2).Ti/SiO_2/Si系统,750℃以上退火,形成覆盖层为TiO 的Ti_5Si_3薄膜,△x∝t~(1/2). CW-Ar~+激火扫描退火Ti/Si样品,功率密度小于2.7kW/cm~2,产生固相反应;功率密度～3.8kW/cm~2,产生液相反应,并形成TiSi_2和纯Si的混合薄膜.对实验结果进行了讨论.     

互电容触控坐标精确处理和上报算法

在触控屏上用手指或触控笔划动时,由于手抖、噪声及不稳定的感应信号,触控轨迹会产生不期望的震荡,呈现出锯齿波和曲线断点,导致用户体验很差.针对此问题,提出了一种基于互电容的触控坐标精确上报的处理算法.通过微控制器对触控坐标原始数据的处理,找到触发时电容信号的相对变化峰值及高于阈值门限的等高线轮廓,再通过轮廓插值得到不规则多边形,利用其顶点的凹凸性区分两个或多个触控点,并计算多边形的质心,确定划线标识,再通过线性二次指数平滑滤波后,实现了坐标数据的精确上报.滤波后的坐标轨迹视觉上更加平滑,结果表明该算法能消除曲线边缘的锯齿波及曲线断点,成功地处理触控信息.     

一种LC全集成、具有对称噪声滤波及宽调节范围的4.8GHz CMOS平衡振荡器

将对称噪声滤波技术应用到4.8GHz LC全集成VCO设计中.该VCO具有很低的相位噪声以及716MHz的调节范围,在SMIC 0.25μm单层多晶、五层金属、n阱 RF CMOS工艺上实现,在2.5V电源电压下工作电流仅为6mA,与常规VCO比较,在相同条件下,噪声性能改善了6dBc/Hz.芯片测试结果表明,在偏离4.8GHz载波1MHz的地方相位噪声为-123.66dBc/Hz,该设计在锁相环及其他消费类电子产品中有广泛应用.     

互电容触控坐标精确处理和上报技术

在触控屏上用手指或触控笔划动时,由于手抖、噪声及不稳定的感应信号,触控轨迹会产生不期望的震荡,呈现出锯齿波和曲线断点,导致用户体验很差。针对此问题,本文提出了一种基于互电容的触控轨迹平滑算法。通过微控制器对触控坐标原始数据的处理,找到触发时电容信号的相对变化峰值及高于门限等值线映射多边形,判定顶点凹凸性,并计算多边形的质心,实现了坐标去抖,再通过线性二次指数平滑滤波后,生成触控屏最终显示的坐标并上报。滤波后的坐标轨迹视觉上更加平滑,结果表明该算法能消除曲线边缘的锯齿波及曲线断点,成功地处理触控信息。