一种提高光折变多重存储密度的记录方法

提出了一种新的双面交替写入了光折变多重存储的记录方法。利用读出时折射率栅在记录晶体中移动的特点 ,把不同全息图的折射率栅置于晶体中纵向分离的位置 ,最大限度的利用了整个记录晶体的折射率动态范围 ,提高了光折变多重存储的实际存储密度。双面交替写入是把最先写入的折射率栅置于记录晶体的中心 ,最后写入的两折射率栅置于记录晶体前后表面附近 ,能够获得均匀的衍射效率     

基于GaAs／A1GaAs光波导扫描技术的研究

分析了光学相控阵的工作原理，提出了可编程的馈电方案，给出了10层P-I-N型GaAs／AlGaAs相控阵列的实验结果，通过实验证实光学相控阵是一种新颖的、高分辨率的、快速宽角度的扫描技术。     

新型光波导阵列电光快速扫描器的馈电特性

研究了新型光波导阵列电光快速扫描器的馈电特性和馈电方式。针对N－I－N（P－I－P）型结构和P－I－N型结构的光波导阵列电光扫描器，导出了相应的馈电电压公式，提出了一种能最大限度降低驱动电压的新方法，并据此研制了4波导P－I－N阵列扫描器的控制电源，成功地进行了电光扫描实验。     

基于GaAs/AlGaAs光波导扫描技术的研究

分析了光学相控阵的工作原理,提出了可编程的馈电方案,给出了10层P-I-N型GaAs／AlGaAs相控阵列的实验结果,通过实验证实光学相控阵是一种新颖的、高分辨率的、快速宽角度的扫描技术。     

利用栅增强技术提高光折变多重存储衍射效率

提出了一种结合折射率栅自增强读出和固定技术的光折变多重存储的记录方法,利用自增强读出时折射率栅在记录晶体中（ｚ向）移动的特点,把同一位置记录的不同全息图的折射率置于晶体中ｚ方向分离的位置,最大限度的利用了晶体各处的折射率的最大动态范围,提高了多重存储衍射效率。