PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型

研究了PIN结构GaInAsSb红外探测器的暗电流特性，建立了器件的PSPICE模型。模拟结果与实际测试结果基本符合。计算结果表明，器件表面和内部的缺陷及表面复合电流对器件的反向特性起主要作用，当反向偏压大于0.35V，缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用。     

硅基红外热堆中热电偶尺寸和对数对探测性能的影响

分析了多晶硅-金集成热堆中热电偶的尺寸和对数对热堆性能的影响,对非接触红外测温的实用型热堆提出了设计和改进的思路.随着热电偶对数的增加,时间常数减小,响应率增大,探测率出现最大值.减小热电偶的长度可以减小热堆内阻和时间常数.多晶硅横截面积和金横截面积的比值接近最佳比值时,探测率呈最大值3×10scm@Hz1/2@W-1.     

硅基红外热堆中热电偶尺寸和对数对探测性能的影响

分析了多晶硅 -金集成热堆中热电偶的尺寸和对数对热堆性能的影响 ,对非接触红外测温的实用型热堆提出了设计和改进的思路 .随着热电偶对数的增加 ,时间常数减小 ,响应率增大 ,探测率出现最大值 .减小热电偶的长度可以减小热堆内阻和时间常数 .多晶硅横截面积和金横截面积的比值接近最佳比值时 ,探测率呈最大值 3× 10 8cm· Hz1 / 2· W- 1 .     

GaInAsSb/GaSb 红外探测器抗反膜的研究

简单介绍了单层抗反膜的增透原理，并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了Al2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜。膜层的反射率测试结果表明：生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30％；同时通过对GaInAsSb／GaSb PIN红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明：蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb／GaSb PIN红外探测器的黑体探测率平均提高了60．28％，远大于蒸镀Al2O3、SiO2后的48．91％和40．04％，说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜，使器件性能有所提高。     

A Facile Synthesis of N-alkyl-4＇-methyl-1,1＇-biphenyl-2-sulfona-mide via Linking DoM Reaction with Suzuki Reaction

Six N-alkyl-4′-methyl-1,1′-biphenyl-2-sulfonamides were synthesized facilely and efficiently from low cost and readily available benzenesulfonyl chloride and C1-C4 fatty amines via linking DoM reaction with Suzuki reaction. The structures of the new compounds synthesized were confirmed by elemental analysis,IR,1H NMR and MS. This new method makes a feature of low cost and readily available starting material, fewer steps, mild condition, easiness to operate and higher yield.     

同步辐射光束线聚焦镜压弯机制研究

对用宽度变化的镜子压制椭圆柱面和抛物柱面的方法进行了系统的讨论,给出了梯形镜的宽度变化公式。用矩形板和梯形板压制了椭圆柱面形镜与进行了摩擦力修正的压弯公式计算值相符合;结果表明,使用梯形镜可以提高压弯精度。