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等离子体微细加工技术的新进展 总被引:7,自引:1,他引:6
在大集成电路制造中常用反应离子刻蚀,但对于加工200mm以上直径的片子和0.25μm的线宽及孔洞,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备(ECR,ICP,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高的刻蚀速率。剖面控制精确,可改善图形的保真度。本介绍了干法刻蚀技术的这一最新进展,阐述了电子回旋共振等离子体源、感应耦合等离子体源、螺旋波等离子何不原的工作原理和干法刻蚀的关 相似文献
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吕长志 冯士维 王东凤 张小玲 谢雪松 何焱 张浩 徐立国 袁明文 李效白 曾庆明 Lü Changzhi Feng Shiwei Wang Dongfeng Zhang Xiaoling Xie Xuesong He Yan Zhang Hao Xu Liguo Yuan Mingwen Li Xiaobai Zeng Qingming 《半导体学报》2005,26(z1):155-157
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性. 相似文献
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本文介绍了功率砷化镓肖特基势垒栅场效应管(GaAs MESFET)微波性能的理论分析方法,叙述了对器件进行计算与实验测量的结果,讨论了典型的实验现象,证明了本文的分析对功率GaAs MESFET是适用的。 相似文献
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氮化镓基固态器件的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
GaN是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料,具有宽禁带,高击穿电压,异质结构道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度,本文着重阐述了宽禁带III-V族化合物半导体器件的研究进展。 相似文献
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李效白 《真空科学与技术学报》2000,20(3):179-186
在大规模集成电路制造中常用反应离子刻蚀 ,但对于加工 2 0 0mm以上直径的片子和 0 2 5 μm的线宽及孔洞 ,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备 (ECR ,ICP ,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高的刻蚀速率。剖面控制精确 ,可改善图形的保真度。本文介绍了干法刻蚀技术的这一最新进展 ,阐述了电子回旋共振等离子体源、感应耦合等离子体源、螺旋波等离子体源的工作原理和干法刻蚀的关键技术问题。 相似文献
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硫钝化对GaAs FET的电特性有重要影响.本文分析了硫钝化后GaAs MESFET饱和源漏电流(IDSS)下降的原因,认为硫处理降低了Nd和Nd/Na(Nd为施主缺陷密度;Na为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素.对样品进行225℃退火可使饱和源漏电流恢复到钝化前的水平。 相似文献
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