排序方式: 共有43条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
CMOS有源像素传感器特性分析与优化设计 总被引:1,自引:3,他引:1
设计了一个三管有源像素和其用开关电容放大器实现的双采样读出电路.该电路被嵌入一64×64像素阵列CMOS图像传感器,在Chartered公司0.35μm工艺线上成功流片.在8μm×8μm像素尺寸下实现了57%的填充因子.测得可见光响应灵敏度为0.8V/(lux·s),动态范围为50dB.理论分析和实验结果表明随着工艺尺寸缩小,像素尺寸减小会使光响应灵敏度降低.在深亚微米工艺条件下,较深的n阱/p衬底结光电二极管可以提供合理的填充因子和光响应灵敏度. 相似文献
2.
采用P阱CMOS工艺制作了一种全对称、电流型的多端MAX门和MIN门电路.实验结果表明,MAX门的输出相对最大输入电流的偏差较小,最大偏差为5μA;MIN门的输出相对最小输入电流的偏差略大于MAX门,最大偏差约为13μA.但MAX门和MIN门都有较高的分辨精度,都在5μA以内.因此,这种多端的电流型MAX(MIN)门电路特别适合于在模糊逻辑系统中应用.提出并制作了一种结构简单、效果很好的非线性I-V转换电路,可用于将以电流值方式表示的最大输出信号转变为以数字电平表示. 相似文献
3.
4.
5.
基于0.5μm工艺设计一种带软启动电路大摆幅输入电压的线性稳压源(LDO),为解决高电压输入时LDO输出节点的瞬态过冲电流问题,设计一种在缓冲器的输出端加入MOS开关的软启动方案,提高电路的安全可靠性。通过仿真分析,结果表明该电路在输入电压10~40 V变化,其线性调整度为7.5 m V@30 V,输出5 V稳定电压,负载电流范围0~10 m A,输出电流1~10 m A,瞬态变化时负载调整度为12 m V@9 m A。电源电压上电时间为1 ms时,LDO的输出过充电流不超过6 m A。 相似文献
6.
优化传输栅下电势分布改善四管像素的电荷转移效率 总被引:3,自引:3,他引:0
提出了一种通过优化传输栅下沿电荷转移路径的电势分布来提高电荷转移效率的方法。通过使用非均匀掺杂传输管沟道,形成了传输管沟道内部的电势分布梯度。通过对R1区与传输栅的交叠长度,R1区的掺杂剂量,防穿通注入(APT)与传输栅交叠长度的调整,减小了传输管沟道与箝位光电二极管(PPD)连接区域的电子势垒与电子势阱,增强了二者的电势连接。仿真结果显示,剩余电荷占总电荷的比例由1/104减小至1/107,转移时间由500 ns缩短为110 ns。这意味电荷转移效率得到了提高。 相似文献
7.
Pixel image lag in a 4-T CMOS image sensor is analyzed and simulated in a two-dimensional model. Strategies of reducing image lag are discussed from transfer gate channel threshold voltage doping adjustment, PPD N-type doping dose/implant tilt adjustment and transfer gate operation voltage adjustment for signal electron transfer. With the computer analysis tool ISE-TCAD, simulation results show that minimum image lag can be obtained at a pinned photodiode n-type doping dose of 7.0 × 1012 cm–2, an implant tilt of –2o, a transfer gate channel doping dose of 3.0 × 1012 cm-2 and an operation voltage of 3.4 V. The conclusions of this theoretical analysis can be a guideline for pixel design to improve the performance of 4-T CMOS image sensors. 相似文献
8.
提出了一个用于CMOS图像传感器的9位10MS/s、低功耗流水线ADC.为降低功耗,该设计通过采用低功耗、宽摆幅的带有增益增强结构的放大器以及将所有单元共用偏置电路的技术来实现,共用偏置技术需要仔细的版图设计和在电路中加入大的去耦合电容来实现。此外,设计中也采用电容阵列DAC来降低功耗,同时,为了增大信号处理范围,设计中还采用低阈值电压的MOS管,该ADC采用4M-1P的0.18μm CMOS工艺设计制造,对芯片的测试结果表明该设计的功耗仅为7mW,相对其他设计是相当低的,该ADC已经应用于30万像素图像传感器系统中,该系统已经流片、测试。 相似文献
9.
10.